[發明專利]半導體熱電器件表面涂層及涂覆方法

在審

• 申請號: 202310097613.0
• 申請日: 2023-02-10
• 公開（公告）號: CN116273774A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 溫漢軍
• 申請（專利權）人: 浙江萬谷半導體有限公司
• 主分類號: B05D5/00
• 分類號: B05D5/00;B05D7/24;B05D1/00
• 代理公司: 北京眾允專利代理有限公司 11803
• 代理人: 趙芳燕

1.半導體熱電器件表面涂層，其特征在于，包括硅鋁、甲苯、碳酸二甲酯及二甲基苯。

2.根據權利要求1所述的半導體熱電器件表面涂層，其特征在于，采用硅鋁比為25的HZSM-5為催化劑，以甲苯和碳酸二甲酯為原料，其摩爾比為甲苯，碳酸二甲酯3∶1，反應溫度380℃，甲苯的轉化率達到36.7％，對二甲基苯選擇性為75.8％。

3.半導體熱電器件表面涂層的涂覆方法，其特征在于，所述包括以下步驟：

S1：聚對二甲苯聚合物進行沉積工藝，由于不會發生液相分離，因而聚對二甲苯不會遭受任何流真空金屬鍍膜是在不超過10-5托的壓強下進行，而聚對體效應的不利影響；

S2：由于出或出氣現象的溶劑、催化劑或塑化劑。是非視距沉積，氣態單體均勻作用于待涂敷物體的各個面，從而形成真正的無針孔敷形涂層；

S3：聚對二甲苯沉積工藝包含三個清晰步驟。第一步是固態二聚物在150℃左右汽化。第二步是在680℃條件下對二聚物蒸汽進行定量裂解(熱解)，使兩個亞甲基亞甲基鍵斷裂，得到穩定的雙游離基活性單體；

S4：單體蒸汽進入室溫沉積室，在基材上聚合。

4.根據權利要求3所述的半導體熱電器件表面涂層的涂覆方法，其特征在于，所述步驟S1中，流體效應可導致集中、流動、架橋，二甲苯沉積則是在大約0.1托的壓強下進行。

5.根據權利要求3所述的半導體熱電器件表面涂層的涂覆方法，其特征在于，所述步驟S2中，聚對二甲苯也不含可能發生浸下，沉積室中氣體分子的平均自由程約為0.1厘米。

6.根據權利要求3所述的半導體熱電器件表面涂層的涂覆方法，其特征在于，所述步驟S2中，待涂敷基材只需具備合理的耐真空能力。

7.根據權利要求3所述的半導體熱電器件表面涂層的涂覆方法，其特征在于，所述步驟S4中，在涂敷工藝中，基材溫度保持在室溫水平。