[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310097099.0
• 申請(qǐng)日: 2023-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN116047254A
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭帥;馮巍;李維剛;杜全鋼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G06F17/16;G01R31/01;G01D21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)包括批量生產(chǎn)的同一結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體外延晶片的測(cè)試數(shù)據(jù)以及利用所述半導(dǎo)體外延晶片制備的半導(dǎo)體器件的測(cè)試數(shù)據(jù)，所述半導(dǎo)體外延晶片的測(cè)試數(shù)據(jù)的種類數(shù)目為m，m為大于或等于2的整數(shù)，所述半導(dǎo)體器件的測(cè)試數(shù)據(jù)的種類數(shù)目為s，s為大于或等于1的整數(shù)，所述處理方法用于獲取器件目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)與外延片目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，所述器件目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)為從所述半導(dǎo)體器件的測(cè)試數(shù)據(jù)中選擇的一類測(cè)試數(shù)據(jù)；所述外延片目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)為從所述半導(dǎo)體外延晶片的測(cè)試數(shù)據(jù)中選擇的一類測(cè)試數(shù)據(jù)，所述方法包括：

獲取所述半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)；

從所述半導(dǎo)體器件的s類測(cè)試數(shù)據(jù)中選擇一類測(cè)試數(shù)據(jù)作為器件目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)，從所述半導(dǎo)體外延晶片的m類測(cè)試數(shù)據(jù)中選擇一類測(cè)試數(shù)據(jù)作為外延片目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)；

由所述半導(dǎo)體外延晶片的m類測(cè)試數(shù)據(jù)與所述器件目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)來構(gòu)建測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T，

其中w_ij表示批量生產(chǎn)的第i個(gè)半導(dǎo)體外延晶片的第j類測(cè)試數(shù)據(jù)，i＝1,2,3,...,n，j＝1,2,3,...,m，q_i表示第i個(gè)半導(dǎo)體外延晶片對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體器件的器件目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)，并且將所選擇的外延片目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)作為第m類測(cè)試數(shù)據(jù)，n表示半導(dǎo)體外延晶片的片數(shù)，并且n100·m；

對(duì)所述測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T進(jìn)行第一矩陣變換，以形成數(shù)據(jù)矩陣T'，

所述第一矩陣變換表示數(shù)據(jù)矩陣T'中的任一行的元素值由測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T中對(duì)應(yīng)行的元素值減去測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T中除了該對(duì)應(yīng)行之外的另一行元素值獲得；

對(duì)所述數(shù)據(jù)矩陣T'進(jìn)行第二矩陣變換，以形成數(shù)據(jù)矩陣T”，

所述第二矩陣變換表示對(duì)T'進(jìn)行初等行變換，以使得數(shù)據(jù)矩陣T”中滿足如下條件的元素w”_kt均等于0：km并且tk；以及k≥m并且tm；

從數(shù)據(jù)矩陣T”中提取子矩陣t，

對(duì)列向量t₂和列向量t₁進(jìn)行線性擬合，從而獲得t₂與t₁之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，并且將該對(duì)應(yīng)關(guān)系作為器件目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)與外延片目標(biāo)測(cè)試數(shù)據(jù)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，其中列向量t₁表示由子矩陣t的第一列的全部元素構(gòu)成的列向量，列向量t₂表示由子矩陣t的第二列的全部元素構(gòu)成的列向量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，所述第一矩陣變換表示：數(shù)據(jù)矩陣T'中的第g行的元素值由測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T中的第g行的元素值減去測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T中的第g+1行的元素值獲得，g＝1,2,3,...,n-1,數(shù)據(jù)矩陣T'中的第n行的元素值由測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T中的第n行的元素值減去測(cè)試數(shù)據(jù)矩陣T中的第1行的元素值獲得。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，在所述獲取所述半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：對(duì)所述半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，以去除異常數(shù)據(jù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，所述異常數(shù)據(jù)表示：針對(duì)所述半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)中的任一類測(cè)試數(shù)據(jù)，計(jì)算該類測(cè)試數(shù)據(jù)的平均值，并將該類測(cè)試數(shù)據(jù)中與所述平均值的差值的絕對(duì)值大于預(yù)設(shè)閾值的測(cè)試數(shù)據(jù)標(biāo)記為異常數(shù)據(jù)，所述預(yù)設(shè)閾值小于或等于所述平均值的絕對(duì)值的3％，并且將與該異常數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體外延晶片的測(cè)試數(shù)據(jù)以及半導(dǎo)體器件的測(cè)試數(shù)據(jù)均標(biāo)記為異常數(shù)據(jù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)閾值等于所述平均值的絕對(duì)值的2％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體外延晶片為pHEMT結(jié)構(gòu)的外延晶片，所述半導(dǎo)體器件為利用所述pHEMT結(jié)構(gòu)的外延晶片制備的pHEMT器件，所述半導(dǎo)體外延晶片的測(cè)試數(shù)據(jù)包括勢(shì)壘層組分?jǐn)?shù)據(jù)、外延層厚度數(shù)據(jù)、溝道層摻雜濃度數(shù)據(jù)、溝道層載流子遷移率數(shù)據(jù)、以及外延片表面方阻數(shù)據(jù)。