[發明專利]一種具有聯想記憶功能的憶阻仿生電路在審
| 申請號: | 202310089752.9 | 申請日: | 2023-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN115985367A | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 林彌;徐超;饒歷;張貴鵬;周張志;王煜博 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00;G11C16/04;G06F30/367 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 310018 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 聯想 記憶 功能 仿生 電路 | ||
1.一種具有聯想記憶功能的憶阻仿生電路,其特征在于:包括:第一憶阻器M1、第二憶阻器M2、第一PMOS晶體管T1、第二PMOS晶體管T2、第一NMOS晶體管T3、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一壓控開關S1、第一與非門NAND、第一運算放大器OP1、第一比較器COMP1、模擬食物信號輸入端Vfood、模擬鈴聲信號輸入端Vring、第一定值電壓V1、第二定值電壓V2、第一比較電壓Vth,
所述第一憶阻器M1的正端連接第一PMOS晶體管T1和第一NMOS晶體管T3的漏極,M1的負端連接第一壓控開關S1的輸出端;第二憶阻器M2的正端連接第二PMOS晶體管T2的漏極,負端連接第一PMOS晶體管T1的源極和第三電阻R3的一端;
所述第一PMOS晶體管T1、第二PMOS晶體管T2、第一NMOS晶體管T3的柵極以及第一壓控開關S1的控制端都接在第一與非門NAND的輸出端;第二PMOS晶體管T2的源端接第一定值電壓V1;第一NMOS晶體管T3的源極連接第一運算放大器OP1的反向輸入端;
所述第一與非門NAND的輸入端分別接模擬食物信號輸入端Vfood和模擬鈴聲信號輸入端Vring;
所述第一壓控開關S1的兩個輸入端分別接第二定值電壓V2和地;當控制信號為高電平時,壓控開關的輸出接第二定值電壓V2,當控制信號為低電平時,壓控開關的輸出接地,
所述第一電阻R1的一端接模擬食物信號輸入端Vfood,另一端接第一運算放大器OP1的反向輸入端;第二電阻R2的一端接第一運算放大器OP1的反向輸入端,另一端接第一運算放大器OP1的輸出端;第三電阻R3的另一端接地;
所述第一運算放大器OP1的正向輸入端接地,輸出端接第一比較器COMP1的反向輸入端;第一比較器COMP1的正向輸入端接第一比較電壓Vth,輸出端為模擬流涎與未流涎的輸出電壓Vout;
通過將輸入端的模擬食物信號Vfood和模擬鈴聲信號Vring輸入到第一與非門NAND,用第一與非門NAND的輸出電壓Va來控制第一PMOS晶體管T1、第二PMOS晶體管T2和第一NMOS晶體管T3的開/關狀態,從而控制第一憶阻器M1和第二憶阻器M2憶阻值的改變,使得整個電路的輸出也隨之發生變化,從而模擬生物的流涎與未流涎的反應。
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