[發(fā)明專利]一種納米薄膜壓力傳感器及其制備方法與應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310089392.2 | 申請日： | 2023-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN116202663A | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曾朋輝;雷衛(wèi)武;徐建;范敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 松諾盟科技有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/22 | 分類號： | G01L1/22;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/02;C22C19/05;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 湖南正則奇美專利代理事務(wù)所(普通合伙) 43105 | 代理人： | 張繼綱 |
| 地址： | 410300 湖南省長沙市瀏陽經(jīng)濟(jì)技術(shù)開*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 薄膜 壓力傳感器 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，包括：
鋼杯膜片；
所述鋼杯膜片上設(shè)有芯體；
所述芯體依次包括：
過渡層、絕緣層、應(yīng)變電阻層和保護(hù)層；
所述芯體分區(qū)設(shè)置包括內(nèi)電阻區(qū)、外電阻區(qū)和焊盤區(qū)；
所述內(nèi)電阻區(qū)由R1、R2、R3和R4組成；
所述R1和所述R2串聯(lián)形成第一橋臂；
所述R3和所述R4串聯(lián)形成第二橋臂；
所述外電阻區(qū)由R5、R6、R7和R8組成；
所述R5和所述R6串聯(lián)形成第三橋臂；
所述R7和所述R8串聯(lián)形成第四橋臂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，所述過渡層包括氧化鈮層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，所述內(nèi)電阻區(qū)的應(yīng)變電阻層為NiCrMnSi層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，所述NiCrMnSi層中包括如下質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的元素：
65%~70%的Ni、20%~25%的Cr、5%~15%的Mn和2%~5%的Si。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，所述外電阻區(qū)的應(yīng)變電阻層為NiCrAlY層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，所述NiCrAlY層包括如下質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的元素：
50%~60%的Ni、10%~15%的Cr、25%~30%的Al和2%~4%的Y。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米薄膜壓力傳感器，其特征在于，所述焊盤區(qū)上設(shè)置有焊盤。
8.一種如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的納米薄膜壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在所述鋼杯膜片上沉積所述過渡層、絕緣層、應(yīng)變電阻層，并將應(yīng)變電阻層圖案化處理；制得第一組件；
S2、在所述第一組件表面部分區(qū)域沉積保護(hù)層；在所述應(yīng)變電阻層上部分區(qū)域生長焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述沉積的方法為離子濺射或磁控濺射。
10.一種如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的納米薄膜壓力傳感器在應(yīng)力測試過程中的應(yīng)用。
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