[發明專利]一種本氏煙組培苗的煉苗移栽方法在審
| 申請號: | 202310088823.3 | 申請日: | 2023-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN116369200A | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發明(設計)人: | 鐘天秀;王銀花;葉星;譙珍;趙碧瑤 | 申請(專利權)人: | 華南農業大學 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00;A01G22/45 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 劉芙蓉 |
| 地址: | 510630 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氏煙組培苗 移栽 方法 | ||
1.一種本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,包括步驟:
提供添加有栽培基質的育苗穴盤和花盆;
將含有根數大于6和根長大于4cm的本氏煙組培苗的培養瓶置于溫室中,進行不開蓋培養預定時間;然后向所述培養瓶中加入滅菌水,所述培養瓶的瓶蓋半開放置預定時間;接著所述培養瓶完全敞開瓶蓋放置預定時間,得到煉苗處理后的本氏煙組培苗;
將所述煉苗處理后的本氏煙組培苗去除根部培養基,使用水沖洗后,再將本氏煙組培苗的植株根系浸泡在多菌靈溶液中,然后剪去多余葉片,保留頂端2片葉,得到消毒后的本氏煙組培苗;
將所述消毒后的本氏煙組培苗移栽至所述育苗穴盤中,然后放置在室內通風散光處,第一周,每日早晚噴濕葉片2次,蓋上穴盤透明蓋且半開頂部氣孔;第二周,每日早晨噴濕葉片1次,蓋上穴盤透明蓋且頂部氣孔全開;第三周,撤掉所述穴盤透明蓋,進行水分管理;繼續生長3-5周,得到活壯苗;
將所述活壯苗移栽至所述花盆中,然后進行水分管理,且每周噴施1次葉面肥,每兩周噴施1次多菌靈粉劑溶液,每兩周噴施1次阿維菌素溶液,實現本氏煙組培苗的煉苗移栽。
2.根據權利要求1所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述栽培基質包括營養土、蛭石、多菌靈粉劑。
3.根據權利要求2所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述營養土與所述蛭石的體積比為3:(1-5);所述多菌靈粉劑與所述栽培基質的質量比為(1-4):1000。
4.根據權利要求2所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述蛭石的直徑為1-8mm。
5.根據權利要求1所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,將所述消毒后的本氏煙組培苗移栽至所述育苗穴盤中的前一天,對添加有栽培基質的育苗穴盤和花盆進行澆水,噴施殺蟲劑后靜置過夜。
6.根據權利要求5所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述殺蟲劑選自阿維菌素、吡蟲啉、溴氰蟲酰胺、苦參堿殺蟲劑中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述預定時間為2天;所述多菌靈溶液的濃度為0.2%。
8.根據權利要求1所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述葉面肥為含有N、P2O5、K2O的復合肥;所述N、P2O5、K2O的質量比為(15-25):(15-25):20。
9.根據權利要求1所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述溫室的條件為:溫度19-29℃、濕度40-60%、光照3800Lx-4200Lx。
10.根據權利要求1所述的本氏煙組培苗的煉苗移栽方法,其特征在于,所述每兩周噴施1次多菌靈粉劑溶液,共噴施3-4次;每兩周噴施1次阿維菌素溶液,共噴施3-4次。
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