[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310087213.1 | 申請(qǐng)日: | 2023-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116564384A | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙栢衡;邊大錫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11C16/04 | 分類號(hào): | G11C16/04;G11C16/06;H01L23/488;H10B80/00 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人: | 李娜;鄧思思 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非易失性存儲(chǔ)器 | ||
1.一種非易失性存儲(chǔ)器件,包括:
第一半導(dǎo)體芯片,所述第一半導(dǎo)體芯片包括:
多個(gè)柵電極,每個(gè)所述柵電極在第一方向上延伸并且在第二方向上堆疊;
溝道結(jié)構(gòu),所述溝道結(jié)構(gòu)在第一區(qū)域中沿所述第二方向延伸;
多個(gè)單元接觸插塞,所述多個(gè)單元接觸插塞包括第一單元接觸插塞、第二單元接觸插塞和第三單元接觸插塞,所述多個(gè)單元接觸插塞中的每一個(gè)單元接觸插塞在第二區(qū)域中耦接到所述多個(gè)柵電極中的對(duì)應(yīng)柵電極;
線性金屬圖案,所述線性金屬圖案在所述第一方向上延伸;以及
多個(gè)上接合焊盤,所述多個(gè)上接合焊盤包括第一上接合焊盤、第二上接合焊盤和第三上接合焊盤;以及
第二半導(dǎo)體芯片,所述第二半導(dǎo)體芯片包括:
多個(gè)下接合焊盤,所述多個(gè)下接合焊盤包括第一下接合焊盤、第二下接合焊盤和第三下接合焊盤;
第一外圍電路元件,所述第一外圍電路元件與所述溝道結(jié)構(gòu)交疊;
第二外圍電路元件,所述第二外圍電路元件與所述多個(gè)單元接觸插塞交疊;以及
第三外圍電路元件,所述第三外圍電路元件與所述多個(gè)單元接觸插塞交疊,
其中,所述第一單元接觸插塞通過所述線性金屬圖案、所述第一上接合焊盤和所述第一下接合焊盤耦接到所述第一外圍電路元件,
其中,所述第二單元接觸插塞通過所述第二上接合焊盤和所述第二下接合焊盤耦接到所述第二外圍電路元件,
其中,所述第三單元接觸插塞通過所述第三上接合焊盤和所述第三下接合焊盤耦接到所述第三外圍電路元件,并且
其中,所述第二上接合焊盤在所述第一方向上的寬度不同于所述第三上接合焊盤在所述第一方向上的寬度,或者所述第二下接合焊盤在所述第一方向上的寬度不同于所述第三下接合焊盤在所述第一方向上的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件,其中,所述第二上接合焊盤在所述第一方向上的寬度大于所述第一上接合焊盤在所述第一方向上的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件,其中,所述第二下接合焊盤在所述第一方向上的寬度大于所述第一下接合焊盤在所述第一方向上的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件,其中,所述第一上接合焊盤和所述第一下接合焊盤在所述第一方向上具有第一寬度,
其中,所述第二上接合焊盤在所述第一方向上的寬度和所述第二下接合焊盤在所述第一方向上的寬度是第二寬度,并且
其中,所述第二寬度大于所述第一寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件,其中,所述柵電極包括串選擇線、多條字線和接地選擇線,
其中,所述第一單元接觸插塞耦接到所述串選擇線,
其中,所述第二單元接觸插塞耦接到所述多條字線中的一條字線和所述接地選擇線,并且
其中,所述第三單元接觸插塞耦接到所述多條字線中的另一條字線和所述接地選擇線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件,其中,所述第一外圍電路元件、所述第二外圍電路元件和所述第三外圍電路元件提供行譯碼器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件,其中,所述第一半導(dǎo)體芯片還包括:
第四上接合焊盤,所述第四上接合焊盤設(shè)置在所述第一區(qū)域中并且耦接到所述溝道結(jié)構(gòu)中的第一溝道結(jié)構(gòu);以及
第五上接合焊盤,所述第五上接合焊盤設(shè)置在所述第一區(qū)域中并且耦接到所述溝道結(jié)構(gòu)中的第二溝道結(jié)構(gòu),并且
其中,所述第二半導(dǎo)體芯片還包括:
第四下接合焊盤,所述第四下接合焊盤耦接到所述第四上接合焊盤;
第五下接合焊盤,所述第五下接合焊盤耦接到所述第五上接合焊盤;
第四外圍電路元件,所述第四外圍電路元件耦接到所述第四上接合焊盤;以及
第五外圍電路元件,所述第五外圍電路元件耦接到所述第五下接合焊盤,并且
其中,所述第四上接合焊盤在所述第一方向上的寬度不同于所述第五上接合焊盤在所述第一方向上的寬度,或者所述第四下接合焊盤在所述第一方向上的寬度不同于所述第五下接合焊盤在所述第一方向上的寬度。
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