[發(fā)明專利]電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310086190.2 | 申請日: | 2023-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN116339117A | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊金果 | 申請(專利權(quán))人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | G04G17/08 | 分類號: | G04G17/08;G04G21/02 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 周禮濤 |
| 地址: | 523863 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子設(shè)備 | ||
1.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:
主體;
底殼,所述底殼設(shè)在所述主體上,所述底殼包括第一層體和第二層體,所述第二層體與所述主體連接,所述第一層體設(shè)在所述第二層體的遠(yuǎn)離所述主體的一側(cè),所述第一層體和所述第二層體貼合,所述第一層體設(shè)有至少一個孔;
電極層,所述電極層設(shè)于所述第二層體,并與所述主體連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電極層包覆至少部分所述第二層體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電極層從所述第二層體靠近所述第一層體的第一表面延伸至遠(yuǎn)離所述第一層體的第二表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,還包括:導(dǎo)電彈片,所述導(dǎo)電彈片的一端與所述電極層連接,另一端與主體內(nèi)的主板連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一層體設(shè)有多個第一穿孔,所述第二層體設(shè)有多個第二穿孔,每個所述第一穿孔分別和所述第二穿孔連通,所述主體內(nèi)設(shè)有光學(xué)傳感組件,所述光學(xué)傳感組件與至少一個所述第二穿孔的位置相對應(yīng),所述光學(xué)傳感組件包括:
光發(fā)射模組,所述光發(fā)射模組的發(fā)射面至少與其中一個所述第二穿孔遠(yuǎn)離所述第一層體的孔口相對;
傳感模組所述光學(xué)傳感器與所述光發(fā)射模組間隔設(shè)置,且所述傳感模組與另一個所述第二穿孔遠(yuǎn)離所述第一層體的孔口相對。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述光學(xué)傳感組件還包括:菲涅爾膜,所述菲涅爾膜設(shè)在所述光發(fā)射模組上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述菲涅爾膜設(shè)在所述光發(fā)射模組與所述第二層體之間,且所述菲涅爾膜分別與所述光發(fā)射模組和所述第二層體間隔設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一穿孔的孔徑大于所述第二穿孔的孔徑,所述傳感模組還包括:光學(xué)片,所述光學(xué)片設(shè)在所述第一穿孔內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備,其特征在于,還包括:擋光層,所述擋光層設(shè)在所述第一穿孔的內(nèi)壁面,且所述擋光層延伸至所述第二穿孔的內(nèi)壁面。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備,其特征在于,還包括:隔水層,所述隔水層設(shè)在所述第一穿孔的外壁面。
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