[發明專利]一種均流預充控制回路

在審

• 申請號: 202310085873.6
• 申請日: 2023-02-07
• 公開（公告）號: CN116094111A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 徐錦成;蘇江超
• 申請（專利權）人: 桑尼（蘇州）智能控制系統有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H02M1/088;H02M1/00
• 代理公司: 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333
• 代理人: 鐘睿

1.一種均流預充控制回路，其特征在于，包括：

壓降采樣回路(1)，與預充電阻R12和供電端連接，用以采樣所述預充電阻R12的壓降；

所述壓降采樣回路(1)連接運放U2A的同向輸入端；

所述運放U2A的反向輸入端連接有波形產生回路(2)，所述波形產生回路(2)用以產生三角波，所述運放U2A根據其同向輸入端和反向輸入端的電位差，從輸出端輸出高電位或低電位；

所述運放U2A的輸出端連接NMOS管Q1的柵極，所述NMOS管Q1的漏極連接所述預充電阻R12，源極連接電容組，所述電容組連接負載，通過所述NMOS管Q1導通的占空比控制給所述電容組充電的時間。

2.根據權利要求1所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，還包括預充控制電路(3)，與所述運放U2A的輸出端連接，用以控制預充的開始或結束。

3.根據權利要求2所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述預充控制電路(3)包括三極管Q2，所述三極管Q2的基極連接單片機，集電極連接所述運放U2A的輸出端。

4.根據權利要求3所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述三極管Q2的基極和所述單片機之間還連接有電阻R2，所述三極管Q2的發射極連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端接地。

5.根據權利要求1所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述壓降采樣回路(1)包括運放U1B，所述運放U1B的輸出端連接所述運放U2A的同向輸入端，所述運放U1B的同向輸入端連接電阻R10和電阻R9的一端，反向輸入端連接電阻R8和電阻R11的一端，所述電阻R8的另一端連接所述運放U1?B的輸出端，所述電阻R11的另一端連接所述預充電阻R12的一端，所述電阻R10的另一端連接所述供電端和所述預充電阻R12的另一端，所述電阻R9的另一端接地。

6.根據權利要求5所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述電阻R10和所述電阻R11的阻值相同，所述電阻R8和所述電阻R9的阻值相同，通過選配所述電阻R9和所述電阻R10的阻值來控制所述運放U1?B的輸出電壓。

7.根據權利要求6所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述電阻R10和所述供電端之間設置二極管D4，所述二極管D4的負極與所述電阻R10連接。

8.根據權利要求1所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述波形產生回路(2)包括運放U2B，所述運放U2B的反相輸入端連接電阻R6的一端、電容C1的一端和所述運放U2A的反相輸入端，所述電阻R6的另一端連接二極管D1的正極和電阻R5的一端，所述電容C1的另一端接地，所述二極管D1的負極連接所述運放U2B的輸出端，所述電阻R5的另一端連接高電平，所述運放U2B的輸出端還連接有電阻R13的一端，所述電阻R13的另一端連接所述運放U2B的同相輸入端，所述運放U2B的同相輸入端還連接有電阻R3的一端和電阻R4的一端，所述電阻R3的另一端接地，所述電阻R4的另一端接高電平。

9.根據權利要求1所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述NMOS管Q1的柵極還連接有穩壓二極管D2的負極，所述穩壓二極管D2的正極連接所述NMOS管Q1的源極，用以限制所述NMOS管Q1的柵極和源極間的電壓。

10.根據權利要求1所述的一種均流預充控制回路，其特征在于，所述預充電阻R12為常規黃金電阻或PTC電阻。