[發(fā)明專利]一種高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310083315.6 | 申請日： | 2023-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN116075204A | 公開（公告）日： | 2023-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳明敬;王淑芳;陳旭陽;寧興坤;閆國英;李志亮;方立德 | 申請（專利權(quán)）人： | 河北大學(xué) |
| 主分類號： | H10N10/17 | 分類號： | H10N10/17;H10N10/01;G01J5/12 |
| 代理公司： | 石家莊國域?qū)＠虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112 | 代理人： | 胡素梅 |
| 地址： | 071002 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 靈敏 硒化鉛 薄膜 熱流 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器，其特征是，包括斜切基板，在所述斜切基板上采用脈沖激光沉積技術(shù)傾斜生長有硒化鉛薄膜，所述硒化鉛薄膜傾斜生長方向與其表面法線方向之間的夾角大于0度小于等于45度，且該夾角與所述斜切基板的斜切角度相同；在硒化鉛薄膜表面兩側(cè)對稱設(shè)置有金屬電極，所述金屬電極連接金屬引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器，其特征是，所述硒化鉛薄膜傾斜生長方向與其表面法線方向之間的夾角為10度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器，其特征是，所述硒化鉛薄膜的厚度為50納米到300納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器，其特征是，所述斜切基板為斜切的單晶基板，所述單晶基板材料為鋁酸鑭、鈦酸鍶、鋁酸鍶鉭鑭、氧化鎂和藍(lán)寶石中任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器，其特征是，所述金屬電極為金、銀、鉑或銦電極；所述金屬電極通過蒸鍍、磁控濺射、涂抹或按壓方法對稱固定在硒化鉛薄膜表面兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器，其特征是，所述金屬引線為Au、Ag或Cu線，金屬引線的直徑大于等于0.01毫米小于等于0.05毫米。
7.一種高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器的制備方法，其特征是，包括如下步驟：
a、采用脈沖激光沉積技術(shù)在斜切基板上制備傾斜生長的硒化鉛薄膜；
b、采用蒸鍍、磁控濺射、涂抹或按壓方法在硒化鉛薄膜表面兩側(cè)對稱生長金屬電極；
c、使金屬電極連接金屬引線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器的制備方法，其特征是，步驟a中，采用脈沖激光沉積技術(shù)在斜切角度為10度的鈦酸鍶基板上制備傾斜角度為10度、厚度為225納米的硒化鉛薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器的制備方法，其特征是，步驟b中，采用按壓方法，在所得傾斜角度為10度、厚度為225納米的硒化鉛薄膜表面左右兩側(cè)對稱地制備兩個銦電極，銦電極直徑為1毫米。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高靈敏的硒化鉛薄膜熱流傳感器的制備方法，其特征是，與銦電極連接的金屬引線選用直徑為0.01毫米的銅線。
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