[發明專利]一種GaN基激光器外延結構在審
| 申請號： | 202310083229.5 | 申請日： | 2023-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN116093743A | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | 鐘玉煌;潘華;張海濤 | 申請（專利權）人： | 無錫吳越半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 無錫智麥知識產權代理事務所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 宋雪瑩 |
| 地址： | 214000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 激光器 外延 結構 | ||
1.一種GaN基激光器外延結構，其特征在于：包括由下到上依次層疊的GaN襯底、第一N型發光層、P型歐姆接觸層、第二N型發光層和電子供給層。
2.根據權利要求1所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：所述第一N型發光層包括由下到上依次層疊的第一N型覆蓋層、第一N型波導層、第一多量子阱層和第一波導層。
3.根據權利要求2所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：
所述第一N型覆蓋層為n-AlyGa1-yN，y＝0.01～0.6，厚度100～1000nm；
所述第一N型波導層為n-InxGa1-xN，x＝0.01～0.4，厚度20～200nm；
所述第一多量子阱層由InxGa1-xN量子阱層和InxGa1-xN量子壘層交替層疊構成，x＝0.01～0.4，InxGa1-xN量子阱層單層厚度為3～5nm，InxGa1-xN量子壘層單層厚度為10～15nm；
所述第一波導層為InxGa1-xN，x＝0.01～0.4，厚度20～200nm。
4.根據權利要求3所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：
InxGa1-xN量子阱層數為2個，InxGa1-xN量子壘層數為3個。
5.根據權利要求1所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：所述P型歐姆接觸層包括由下到上依次層疊的第一p型電子阻擋層、p型接觸層和第二p型電子阻擋層。
6.根據權利要求5所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：
所述第一p型電子阻擋層為p-AlyGa1-yN，y＝0.01～0.6，厚度100～1000nm，p型摻Mg濃度為1E15cm-3～3E19cm-3；
所述p型接觸層為p-GaN，厚度為10nm～200nm，p型摻Mg濃度為5E18cm-3～2E20cm-3；
所述第二p型電子阻擋層為p-AlyGa1-yN，y＝0.01～0.6，厚度100～1000nm，p型摻Mg濃度為1E15cm-3～3E19cm-3。
7.根據權利要求1所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：所述第二N型發光層包括由下到上依次層疊的第二波導層、第二多量子阱層、第二N型波導層和第二N型覆蓋層。
8.根據權利要求7所述的GaN基激光器外延結構，其特征在于：
所述第二波導層為InxGa1-xN，x＝0.01～0.4，厚度20～200nm；
所述第二多量子阱層由InxGa1-xN量子阱層和InxGa1-xN量子壘層交替層疊構成，x＝0.01～0.4，InxGa1-xN量子阱層單層厚度為3～5nm，InxGa1-xN量子壘層單層厚度為10～15nm；
所述第二N型波導層為n-InxGa1-xN，x＝0.01～0.4，厚度20～200nm；
所述第二N型覆蓋層為n-AlyGa1-yN，y＝0.01～0.6，厚度100～1000nm。
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