[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310083053.3
• 申請(qǐng)日: 2023-02-07
• 公開（公告）號(hào): CN116344505A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊忠杰;彭永州
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/538
• 分類號(hào): H01L23/538;H01L23/64;H01L27/06;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

電容器，具有第一導(dǎo)體板、第二導(dǎo)體板和插入在其間的介電層的部分；

多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)，與所述第一導(dǎo)體板電接觸；以及

多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)，與所述第二導(dǎo)體板電接觸；

其中，所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)以棋盤圖案橫向布置，從而使得所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的每個(gè)由所述多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)中的相應(yīng)四個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)圍繞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述四個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的所述第一接觸結(jié)構(gòu)沿著第一橫向方向間隔開第一距離，并且所述四個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)中的另外兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的所述第一接觸結(jié)構(gòu)沿著垂直于所述第一橫向方向的第二橫向方向間隔開所述第一距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的每個(gè)與所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的緊鄰的一個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)間隔開第二距離，所述第二距離大于所述第一距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二距離等于所述第一距離的兩倍的平方根。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)電連接到所述第一導(dǎo)體板；和

多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過所述多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)電連接到所述第二導(dǎo)體板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)體板和所述第二導(dǎo)體板插入在所述多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一金屬化層中，并且所述多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二金屬化層中，所述第二金屬化層設(shè)置在所述第一金屬化層之上，并且其中，所述介電層插入在所述第一金屬化層和所述第二金屬化層之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)連接到第一供電電壓，并且所述多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)連接到第二供電電壓。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)晶體管，沿著襯底的主表面形成；

多個(gè)金屬化層，設(shè)置在所述多個(gè)晶體管上方；

電容器，設(shè)置在所述多個(gè)金屬化層中的第一金屬化層和所述多個(gè)金屬化層中的第二金屬化層之間，其中，所述電容器具有第一導(dǎo)體板、第二導(dǎo)體板和插入在其間的介電層；

多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)，從所述第一金屬化層延伸到所述第二金屬化層并且與所述第一導(dǎo)體板電接觸；

多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)，從所述第一金屬化層延伸到所述第二金屬化層并且與所述第二導(dǎo)體板電接觸；

多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一金屬化層中；以及

多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二金屬化層中；

其中，所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的每個(gè)與所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的下一個(gè)相鄰的第一接觸結(jié)構(gòu)以所述多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)中的對(duì)應(yīng)一個(gè)沿著第一橫向方向或第二橫向方向中的至少一個(gè)方向間隔開；

其中，所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)沿著所述第一橫向方向和所述第二橫向方向二者交替布置。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成包括多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一金屬化層；

在所述第一金屬化層上方形成第一導(dǎo)體板；

在所述第一導(dǎo)體板上方形成第二導(dǎo)體板；

形成與所述第一導(dǎo)體板電接觸的多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)；

形成與所述第二導(dǎo)體板電接觸的多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的每個(gè)與所述多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)中的四個(gè)相鄰第一接觸結(jié)構(gòu)以所述多個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)中的對(duì)應(yīng)四個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)間隔開；以及

在所述第二金屬化層上方形成包括多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二金屬化層。