[發明專利]一種聚酰亞胺介電薄膜及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202310081546.3
• 申請日: 2023-02-08
• 公開（公告）號: CN116162270A
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 張群;曹河文;祝春才;劉國隆;徐哲
• 申請（專利權）人: 浙江中科玖源新材料有限公司
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L79/08;C08G73/10;C08K3/04
• 代理公司: 合肥金律專利代理事務所(普通合伙) 34184
• 代理人: 楊霞

1.一種聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、將羧基化多壁碳納米管和2，4-二氨基苯酚進行縮合反應，得到鍵合氨基苯并噁唑的多壁碳納米管；

S2、將鍵合氨基苯并噁唑的多壁碳納米管與芳香族二胺單體以及芳香族二酐單體進行縮聚反應，成膜后再進行熱亞胺化反應，即得到所述聚酰亞胺介電薄膜。

2.根據權利要求1所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述羧基化多壁碳納米管和2，4-二氨基苯酚的質量比為1:1-3；

優選地，所述羧基化多壁碳納米管是將多壁碳納米管加入濃酸中升溫反應得到。

3.根據權利要求1或2所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述縮合反應的溫度為120-160℃，時間為6-12h。

4.根據權利要求1-3任一項所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述芳香族二胺單體為4，4'-二氨基二苯醚、3，4'-二氨基二苯醚、對苯二胺或間苯二胺中的至少一種。

5.根據權利要求1-4任一項所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述芳香族二酐單體為均苯四甲酸酐、3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐、3，3'，4，4'-二苯醚四甲酸二酐、3，3'，4，4'-二苯甲酮四甲酸二酐或3，3'，4，4'-二苯砜四甲酸二酐中的至少一種。

6.根據權利要求1-5任一項所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述芳香族二胺單體和芳香族二酐單體的摩爾比為0.95-1.01:1；

優選地，所述鍵合氨基苯并噁唑的多壁碳納米管的用量是芳香族二胺單體和芳香族二酐單體總質量的1-5wt％。

7.根據權利要求1-6任一項所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述縮聚反應的溫度為0-30℃，時間為4-8h。

8.根據權利要求1-7任一項所述聚酰亞胺介電薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱亞胺化反應包括：升溫至50-100℃，保溫1-2h，再升溫至120-160℃，保溫1-2h，繼續升溫至180-220℃，保溫1-2h，接著升溫至250-300℃，保溫1-2h。

9.一種聚酰亞胺介電薄膜，其特征在于，其是權利要求1-8任一項所述制備方法制備而成。

10.一種權利要求9所述聚酰亞胺介電薄膜在電介質電容器中的應用。