[發明專利]一種廣泛促進蘭科植物種子萌發的培養基及其培養方法

在審

• 申請號: 202310080974.4
• 申請日: 2023-01-16
• 公開（公告）號: CN116114601A
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 趙大克;張雪;袁子涵;王后平;牟宗敏
• 申請（專利權）人: 云南大學
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 薛紅凡

1.一種廣泛促進蘭科植物種子萌發的培養基，其特征在于，以水為溶劑包括以下成分：1800～2000mg/L的KNO₃、1600～1700mg/L的NH₄NO₃、360～380mg/L的MgSO₄.7H₂O、160～180mg/L的KH₂PO₄、430～450mg/L的CaCl₂.2H₂O、28～32g/L的蔗糖和11～13g/L的瓊脂。

2.根據權利要求1所述培養基，其特征在于，以水為溶劑包括以下成分：1900mg/L的KNO₃、1650mg/L的NH₄NO₃、370mg/L的MgSO₄.7H₂O、170mg/L的KH₂PO₄、440mg/L的CaCl₂.2H₂O、30g/L的蔗糖和12g/L的瓊脂。

3.根據權利要求1或2所述培養基，其特征在于，所述培養基的pH值為5.6～6.0。

4.根據權利要求3所述培養基，其特征在于，所述培養基的pH值為5.8。

5.權利要求1～4任意一項所述培養基在促進蘭科植物種子萌發中的應用。

6.根據權利要求5所述應用，其特征在于，所述蘭科植物包括石斛屬(Dendrobium)植物和/或貝母蘭屬(Coelogyne)植物。

7.根據權利要求6所述應用，其特征在于，所述石斛屬植物包括以下任意一種：鐵皮石斛(Dendrobiumofficinale)、兜唇石斛(Dendrobiumaphyllum)、金釵石斛(Dendrobiumnobile)；

所述貝母蘭屬植物為梭葉貝母蘭(Coelogynecristata)。

8.一種蘭科植物的培養方法，其特征在于，包括以下步驟：

將蘭科植物種子接種至權利要求1～4任意一項所述培養基中培養。

9.根據權利要求8所述培養方法，其特征在于，所述培養的條件：晝/夜溫度為28/25℃，培養環境的相對濕度為58％～62％；

所述培養的條件還包括光照，光照強度為11000～13000LX，光照周期為暗/亮為12/12h。

10.根據權利要求8或9所述培養方法，其特征在于，所述培養的時間為18～24天。