[發(fā)明專利]一種鈦酸鍶基巨介電陶瓷制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310080428.0 | 申請日: | 2023-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN116041059A | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 白浩;盧楠;高曉;劉振國 | 申請(專利權)人: | 西北工業(yè)大學 |
| 主分類號: | C04B35/47 | 分類號: | C04B35/47;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 無錫市天宇知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32208 | 代理人: | 蔣飛 |
| 地址: | 710000 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈦酸鍶基巨介電 陶瓷 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種鈦酸鍶基巨介電陶瓷制備方法,涉及電子陶瓷領域,SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3以二氧化鈦,碳酸鍶和五氧化二鈮、五氧化二釩、五氧化二鉭為原料,混合均勻后球磨,干燥后將粉體在空氣中預燒,將預燒后的粉料添加PVA混合均勻,研磨后加入粘合劑PVB以及塑化劑BBP造粒并壓制成型,然后放到氣氛燒結爐中,使樣品在氫氣、氬氣、氮氣混合氣氛中燒結成瓷,之后將樣品置于真空?氧氣氣氛中退火,得到介電性能良好的巨介電陶瓷并且具有良好的溫度和頻率穩(wěn)定性。
技術領域
本發(fā)明涉及電子陶瓷領域,具體涉及一種SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3巨介電陶瓷材料的制備方法。
背景技術
微電子信息技術的快速發(fā)展對電子元器件的微型化、集成化提出了更高的要求,作為電子元器件的重要組分部分,電介質陶瓷的研究受到人們越來越多的關注。隨著信息技術領域尤其是電子和微電子行業(yè)的發(fā)展以及極端環(huán)境下的工作需要,具有良好的溫度和頻率穩(wěn)定性的巨介電常數(shù)、低介電損耗的電介質材料有著廣泛的應用前景。
具有鈣鈦礦結構的陶瓷材料一直因其巨大的介電常數(shù)和和很低的介電損耗而備受關注,并且鈣鈦礦結構陶瓷材料能夠在很寬的溫度和頻率范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性。近年來,電子元器件日新月異,小型化、高效能和低功耗成為重要發(fā)展方向,并且對器件的各種聲光電熱磁等性能有了更多細致的要求。這也要求去研究更多元素的物理化學性能,開發(fā)出更多的新材料種類來滿足不同層次的需求。
位于第五副族的三種元素釩、鈮、鉭均為非鐵磁性元素,并且已經(jīng)在生產(chǎn)和生活中得到廣泛運用,研究并進一步發(fā)展這些元素的應用具有重要的經(jīng)濟效益。例如,用鉭電容器用在軍事國防等消費領域,但鉭元素資源緊缺,因此鉭元素成了一種戰(zhàn)略性資源。鈮元素的堿金屬化合物,例如Li2NbO3(鈮酸鋰)具有鈣鈦礦型偏三方晶體結構,而鈷酸鋰是一種常見的電極材料。研究已經(jīng)表明Nb與Ta共摻雜可以形成復合鈣鈦礦基結構,并且由于兩者的最外層電子數(shù)相同,可以在晶體內(nèi)部形成缺陷偶極子,同時釋放出離域電子。因此嘗試用碳酸鍶、五氧化二鈮、二氧化鈦、五氧化二鉭去合成復合鈣鈦礦基陶瓷材料,化學式中Ta5+、Nb5+,通過施主與受主共摻雜作用,形成缺陷偶極子,而釩離子與二者有著相近的原子半徑,且是常見的制備巨介電陶瓷體原料。目前關于SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3制備方法的報告還很少見,作為一種具有潛在的廣泛應用價值的材料,有必要探索一種合適并且利于推廣的制備工藝,以更好的研究SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3巨介電陶瓷的結構、性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術存在的以上問題,提供一種鈦酸鍶基巨介電陶瓷制備方法,本發(fā)明獲得的SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3陶瓷是典型的鈦酸鍶基復合鈣鈦礦結構材料之一,并且測得其有很高的介電常數(shù)以及良好的溫度和頻率穩(wěn)定性。
為實現(xiàn)上述技術目的,達到上述技術效果,本發(fā)明通過以下技術方案實現(xiàn):
一種鈦酸鍶基巨介電陶瓷制備方法,所述巨介電陶瓷材料的結構式為SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3,其特征在于制備方法包括以下步驟:
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