[發明專利]一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法及其應用在審
| 申請號： | 202310076829.9 | 申請日： | 2023-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN116008358A | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發明（設計）人： | 林海丹;張海豐;王柏林;張子龍;楊代勇;郭家昌;李嘉帥;于群英;列劍平;李守學;欒靖堯;崔天城;董洪達;趙天成;矯立新;劉丹;邰宇峰 | 申請（專利權）人： | 國網吉林省電力有限公司電力科學研究院;東北電力大學;吉林省電力科學研究院有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;G01R31/12;G01R31/16 |
| 代理公司： | 北京盛廣信合知識產權代理有限公司 16117 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 130000 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 修飾 石墨 薄膜 傳感器 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將AlCl3溶于無水乙醇中，與氧化石墨烯水溶液混合，加熱攪拌至Al3+的濃度為0.3-1.5mol/L，得到溶膠；
(2)將上述溶膠與丙三醇混合后得到鍍膜溶液；
(3)將有叉指回形Cu/Ni金屬電極浸入所述鍍膜溶液中，提拉鍍膜，靜置，熱處理，洗滌，干燥，得到Al2O3/GO薄膜傳感器，即為納米修飾的石墨烯薄膜傳感器。
2.根據權利要求1所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，所述有叉指回形Cu/Ni金屬電極的制備方法為：在印制電路板襯底上采用濺射、光刻及蝕刻工藝制備有叉指回形Cu/Ni金屬電極，電極線寬和間隙寬度為100-200μm，厚度為10-25μm。
3.根據權利要求1所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，步驟(3)中，熱處理溫度為100-120℃，熱處理時間為10-20分鐘。
4.根據權利要求1所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，步驟(3)進行干燥處理后，還包括燒結步驟。
5.根據權利要求4所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，燒結之后，還包括沉積納米金粒子的步驟。
6.根據權利要求5所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，沉積納米金粒子之后，還包括加熱的步驟，得到Au@Al2O3/rGO薄膜傳感器。
7.根據權利要求6所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，加熱溫度為100-300℃，加熱時間為1-3小時。
8.根據權利要求6所述一種納米修飾的石墨烯薄膜傳感器制備方法，其特征在于，加熱之后，還包括在Au@Al2O3/rGO薄膜傳感器表面沉積離子液體的步驟。
9.一種權利要求1-8任一項所述制備方法制備得到的納米修飾的石墨烯薄膜傳感器在變壓器故障預警中的應用。
10.一種權利要求1-8任一項所述制備方法制備得到的納米修飾的石墨烯薄膜傳感器在乙炔檢測中的應用。
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