[發明專利]砷化鎵晶圓的劃切方法

在審

• 申請號: 202310075103.3
• 申請日: 2023-01-12
• 公開（公告）號: CN116387143A
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 張興華
• 申請（專利權）人: 深圳西斯特科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/683
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王保璽

1.一種砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，包括以下步驟：

將砷化鎵晶圓的背面貼上膠膜；

標記貼有所述膠膜的所述砷化鎵晶圓的晶體方向，并基于所述砷化鎵晶圓的晶體方向確定CH1方向和CH2方向，其中所述砷化鎵晶圓的晶體方向為CH1方向和CH2方向的直角平分線；

將貼有所述膠膜的所述砷化鎵晶圓固定在劃片機的工作盤上；

使劃片機上的劃片刀以第一劃切參數對所述砷化鎵晶圓進行CH1方向的劃切，其中所述劃片刀的劃切深度與所述砷化鎵晶圓的厚度相等；

使所述劃片機上的劃片刀以第二劃切參數對所述砷化鎵晶圓進行CH2方向的劃切，其中所述劃片刀的劃切深度大于所述砷化鎵晶圓的厚度，且小于所述砷化鎵晶圓和所述膠膜的厚度之和；

獲取劃切后的砷化鎵晶圓。

2.如權利要求1所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述將砷化鎵晶圓的背面貼上膠膜的步驟之后，還包括：

將貼有所述膠膜的所述砷化鎵晶圓放置于60℃-80℃烘箱中烘烤10min-40min。

3.如權利要求2所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述將貼有所述膠膜的所述砷化鎵晶圓固定在劃片機的工作盤上的步驟之前，還包括：

將烘烤后的貼有所述膠膜的所述砷化鎵晶圓冷卻至室溫。

4.如權利要求1-3任一項所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述膠膜為藍膜或者白膜。

5.如權利要求1所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，確定所述劃片刀的劃切深度與所述砷化鎵晶圓的厚度相等的方法包括：

使劃片機上的劃片刀以第一劃切參數對所述砷化鎵晶圓進行CH1方向的劃切并劃切第一深度；

使劃片機上的攝像頭對劃切處的所述膠膜進行拍攝，若拍攝的所述膠膜上有切割痕跡，則使所述劃片機上的劃片刀上移第一距離并繼續劃切所述砷化鎵晶圓，重復執行該步驟，直至所述膠膜上的切割痕跡剛好消失，此時所述劃片機上的劃片刀的劃切深度為第二深度，所述第二深度與所述砷化鎵晶圓的厚度相等。

6.如權利要求1所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，確定所述劃片刀的劃切深度與所述砷化鎵晶圓的厚度相等的方法包括：

使所述劃片機上的劃片刀以第一劃切參數對所述砷化鎵晶圓進行CH1方向的劃切并劃切第三深度；

使劃片機上的攝像頭對劃切處的所述膠膜進行拍攝，若拍攝的所述膠膜上無切割痕跡，則使所述劃片機上的劃片刀下移第二距離并繼續劃切所述砷化鎵晶圓，重復執行該步驟，直至所述膠膜上的切割痕跡剛好出現，此時將所述劃片機上的劃片刀上移第三距離且以上移后的劃切深度作為第四深度，所述第四深度與所述砷化鎵晶圓的厚度相等。

7.如權利要求5或6所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述第一劃切參數為所述劃片機上的劃片刀的轉速為30000r/min-40000r/min，進刀速度20mm/s-40mm/s。

8.如權利要求1所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述第二劃切參數為所述劃片機上的劃片刀的轉速為30000r/min-40000r/min，進刀速度45mm/s-55mm/s。

9.如權利要求1所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述方法還包括：

在對所述砷化鎵晶圓進行CH1方向的劃切和對所述砷化鎵晶圓進行CH2方向的劃切的過程中，使用冷卻水對所述劃片機上的劃片刀和所述砷化鎵晶圓進行沖洗。

10.如權利要求1所述的砷化鎵晶圓的劃切方法，其特征在于，所述獲取劃切后的砷化鎵晶圓的方法包括：

使用清理工具清理所述砷化鎵晶圓的對應CH1方向的劃切位置。