[發明專利]硅析出用芯線在審
| 申請號： | 202310074529.7 | 申請日： | 2018-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN116005259A | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發明（設計）人： | 西川正芳;井上裕司 | 申請（專利權）人： | 株式會社德山 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/14;C30B28/10 |
| 代理公司： | 北京信諾創成知識產權代理有限公司 11728 | 代理人： | 郝文婷;王慶云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 析出 用芯線 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅析出用芯線，其特征在于，
所述硅析出用芯線由多晶硅的棒狀體形成，
所述多晶硅的晶格間氧濃度為10ppma以上40ppma以下，并且，在棒狀體的長尺寸方向的側面觀察到晶粒徑為1mm以上的晶粒。
2.根據權利要求1所述的硅析出用芯線，其特征在于，
在以長尺寸方向的任意部位為基準的情況下，所述多晶硅在所述棒狀體的長尺寸方向上的晶格間氧濃度的分布為±5ppma/m以下。
3.根據權利要求1所述的硅析出用芯線，其特征在于，
所述硅析出用芯線在900℃下的屈服應力為每1cm2150MPa以上。
4.根據權利要求1所述的硅析出用芯線，其特征在于，
所述多晶硅的磷和硼的總濃度為1ppba以下。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的硅析出用芯線，其特征在于，
所述硅析出用芯線的截面積為0.1cm2以上6cm2以下，長度為0.5m以上。
6.根據權利要求1～4中任一項所述的硅析出用芯線，其特征在于，
所述硅析出用芯線用于通過西門子法制造多晶硅。
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