[發明專利]芯片封裝方法及封裝結構在審
| 申請號: | 202310073954.4 | 申請日: | 2023-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN116364562A | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 劉在福;焦潔;汪盛偉 | 申請(專利權)人: | 蘇州通富超威半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;趙吉陽 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 方法 結構 | ||
1.一種芯片封裝方法,采用芯片注塑模具進行塑封,所述芯片注塑模具包括下模腔,其特征在于,所述方法包括:
分別提供襯底、芯片和厚度補償層;
將所述厚度補償層固定于所述襯底的第一表面,以使所述襯底和所述厚度補償層的總厚度與所述下模腔的深度相匹配;
將所述芯片固定于所述襯底的第二表面,以得到待塑封的芯片結構;
將所述待塑封的芯片結構的所述厚度補償層固定于所述下模腔,通過所述注塑模具對所述待塑封的芯片結構進行塑封,形成包裹所述芯片的塑封層;
去除所述厚度補償層。
2.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述厚度補償層可耐受200℃~300℃的溫度。
3.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于,所述厚度補償層為耐高溫膠帶。
4.根據權利要求1至3任一項所述的封裝方法,其特征在于,所述將所述厚度補償層固定于所述襯底的第一表面,包括:
通過粘合膠層將所述厚度補償層朝向所述襯底的一側固定于所述襯底的第一表面。
5.根據權利要求1至3任一項所述的封裝方法,其特征在于,所述襯底為基板,所述去除所述厚度補償層之后,還包括:
在所述基板背離所述芯片的一側形成互連焊球。
6.根據權利要求1至3任一項所述的封裝方法,其特征在于,所述襯底為載板,所述去除所述厚度補償層之后,還包括:
去除所述載板,在所述芯片和所述塑封層朝向所述載板的一側形成線路層。
7.根據權利要求1至3任一項所述封裝方法,其特征在于,通過所述注塑模具對所述待塑封的芯片結構進行塑封,形成包裹所述芯片的塑封層,包括:
采用模壓成型工藝對所述待塑封的芯片結構進行塑封,形成包裹所述芯片的所述塑封層。
8.根據權利要求1至3任一項所述封裝方法,其特征在于,所述下模腔包括下模底座和下模鑲條,所述下模鑲條嵌設在所述下模底座,以形成底槽,其中;
所述襯底和所述厚度補償層的總厚度與所述底槽的深度一致。
9.一種芯片封裝結構,其特征在于,采用權利要求1至8任一項所述的封裝方法封裝形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





