[發明專利]一種改善深溝槽工藝晶圓變形的方法及晶圓

在審

• 申請號: 202310072729.9
• 申請日: 2023-01-28
• 公開（公告）號: CN115985842A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 張林;李虎子;李瀚瀟
• 申請（專利權）人: 和艦芯片制造（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 劉小峰;陳黎明

1.一種改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，包括以下步驟：

S1、提供一具有深溝槽的半導體基底；

S2、在所述深溝槽中進行第一次二氧化硅填充形成第一膜層；

S3、對所述第一膜層在T₁溫度下進行第一次高溫密化處理；

S4、在所述深溝槽中進行第二次二氧化硅填充形成第二膜層；

S5、對所述第二膜層在T₂溫度下進行第二次高溫密化處理。

2.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第一次高溫密化處理和所述第二次高溫密化處理的溫度滿足：T₁＞T₂。

3.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第一次高溫密化處理的升溫區間為1100～1300℃。

4.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第二次高溫密化處理的升溫區間為900～1100℃。

5.根據權利要求4所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第一膜層的厚度為所述第二膜層的厚度為

6.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第一次二氧化硅填充后，二氧化硅表面高于溝槽表面

7.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層采用化學氣相沉積法形成。

8.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述二氧化硅包括摻雜的二氧化硅。

9.根據權利要求1所述的改善深溝槽工藝晶圓變形的方法，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種。

10.一種晶圓，其特征在于，所述晶圓包含使用權利要求1-9中任一項所述的方法加工的深溝槽。