[發明專利]基于環戊基二噻吩有機單分子空穴傳輸層材料及其在鈣鈦礦太陽能電池中的應用在審
| 申請號： | 202310065137.4 | 申請日： | 2023-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN116063319A | 公開（公告）日： | 2023-05-05 |
| 發明（設計）人： | 張婧;陳子寅;周川棫;袁寧一;丁建寧 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | C07D495/04 | 分類號： | C07D495/04;H10K85/60;H10K30/50;H10K30/86;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/50 |
| 代理公司： | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 213164 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 環戊基二 噻吩 有機 分子 空穴 傳輸 材料 及其 鈣鈦礦 太陽能電池 中的 應用 | ||
【權利要求書】：
1.基于環戊基二噻吩有機單分子空穴傳輸層材料，其特征在于：以雙甲硫基-二苯胺或雙甲硫基-三苯胺為端基，4H-環戊基[2,1-b:3,4-b']二噻吩為中心單元的有機分子材料；
有機分子材料的結構如式Ⅰ所示：
2.根據權利要求1所述基于環戊基二噻吩有機單分子空穴傳輸層材料，其特征在于：有機分子材料結構式如下：
3.根據權利要求1或2所述材料作為無摻雜單分子空穴傳輸層在制備光伏器件中的應用。
4.根據權利要求3所述的應用，其特征在于：所述光伏器件為基于CH3NH3PbI3-xClx為活性層的鈣鈦礦太陽能電池。
5.根據權利要求3所述的應用，其特征在于：所述無摻雜單分子空穴傳輸層制備過程中，采用溶液旋涂退火后溶劑沖洗的單分子層制備工藝。
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