[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202310063286.7 | 申請日： | 2023-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN116504728A | 公開（公告）日： | 2023-07-28 |
| 發明（設計）人： | 石野雅章 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其具有：
散熱器，其在一面側具有散熱部；
多個半導體模塊，它們配置于所述散熱器的另一面側；以及
多個散熱材料，它們分別設置于多個所述半導體模塊與所述散熱器之間，
多個所述散熱材料中的在容易發生溫度上升的半導體模塊與所述散熱器之間設置的所述散熱材料的厚度比除此以外的所述散熱材料的厚度薄。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
各所述半導體模塊具有：散熱板，其隔著所述散熱材料而配置于所述散熱器；半導體芯片，其配置于所述散熱板的與配置于所述散熱器的面相反側的面側；以及絕緣基板，其設置于所述半導體芯片與所述散熱板之間，
多個所述半導體模塊各自所具有的多個所述絕緣基板中的容易發生溫度上升的所述半導體模塊所具有的所述絕緣基板的導熱率比除此以外的所述半導體模塊所具有的所述絕緣基板的導熱率高。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，
多個所述半導體模塊各自所具有的多個所述散熱板中的容易發生溫度上升的所述半導體模塊所具有的所述散熱板的厚度比除此以外的所述半導體模塊所具有的所述散熱板的厚度厚。
4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其中，
多個所述半導體模塊各自所具有的多個所述絕緣基板中的容易發生溫度上升的所述半導體模塊所具有的所述絕緣基板的厚度比除此以外的所述半導體模塊所具有的所述絕緣基板的厚度薄。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，
多個所述半導體模塊沿與流過所述散熱器的冷卻風的方向交叉的方向直線狀地配置，
容易發生溫度上升的所述半導體模塊是在所述直線狀的中央側配置的半導體模塊。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，
多個所述半導體模塊沿與流過所述散熱器的冷卻風的方向交叉的方向配置成直線狀，并且沿所述冷卻風的方向配置成多列，
容易發生溫度上升的所述半導體模塊是在所述冷卻風的下風側的列配置的半導體模塊。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，
多個所述半導體模塊沿與流過所述散熱器的冷卻風的方向交叉的方向配置成直線狀，并且沿所述冷卻風的方向配置成多列，
容易發生溫度上升的所述半導體模塊是在所述冷卻風的上風側的列中在所述直線狀的中央側配置的半導體模塊和在所述冷卻風的下風側的列配置的半導體模塊。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，
多個所述半導體模塊沿與流過所述散熱器的冷卻風的方向交叉的方向配置成直線狀，并且沿所述冷卻風的方向配置成多列，
容易發生溫度上升的所述半導體模塊是在所述冷卻風的下風側的列中在所述直線狀的中央側配置的半導體模塊。
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