[發明專利]具有低反向恢復時間的快恢復二極管及其制作方法

在審

• 申請號: 202310059658.9
• 申請日: 2023-01-17
• 公開（公告）號: CN116130358A
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 陳建鵬;曾靜;石小林;張立明;陸雪;李丹
• 申請（專利權）人: 四川廣義微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/167;H01L29/861
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 李林

1.一種具有低反向恢復時間的快恢復二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一快恢復二極管基體；

對所述快恢復二極管基體的背面依次進行減薄處理和腐蝕處理，減薄厚度為40～80um，腐蝕厚度為1～5um；

從所述快恢復二極管基體的背面進行金屬金摻雜；

金屬金摻雜完成后對所述快恢復二極管基體的背面依次進行減薄和金屬蒸發，形成背墊金屬層。

2.根據權權利要求1所述的制作方法，其特征在于，經過所述減薄處理和所述腐蝕處理后，所述快恢復二極管基體的應力為400～800Mpa，所述快恢復二極管基體背面的損傷層的厚度為2～3um；所述快恢復二極管基體背面的粗糙度Ra0.2um。

3.根據權權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，經過所述減薄處理后，所述快恢復二極管基體的應力為400～1000Mpa，所述快恢復二極管基體背面的損傷層的厚度為3～6um，所述快恢復二極管基體背面的粗糙度Ra0.3um。

4.根據權權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述減薄處理包括粗磨減薄和細磨減薄，粗磨減薄的厚度為30～50um，細磨減薄的厚度為10～30um。

5.根據權權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腐蝕處理中腐蝕溫度為21～25℃，腐蝕液為硅腐蝕液和稀氫氟酸。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，先采用所述硅腐蝕液進行腐蝕，后采用稀氫氟酸進行腐蝕，前者的腐蝕時間為2～5分鐘，后者的腐蝕時間為1～5分鐘。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在采用所述稀氫氟酸進行腐蝕進行腐蝕前，對所述快恢復二極管基體進行清洗處理。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述快恢復二極管基體由以下方法制備得到：

提供一襯底；

對所述襯底的正面進行氧化，得到氧化層；

對所述氧化層進行腐蝕，形成第一離子注入窗；

通過所述第一離子注入窗對所述襯底進行推阱，形成阱區和第一雜質層；

對所述氧化層進行腐蝕，形成多個第二離子注入窗；

通過多個所述第二離子注入窗對所述襯底進行推阱，形成終端結構和第二雜質層；

在所述襯底的正面淀積絕緣介質，形成絕緣層；

腐蝕絕緣層和第一雜質層，形成第三離子注入窗。

9.一種具有低反向恢復時間的快恢復二極管，其特征在于，包括快恢復二極管基體，所述快恢復二極管基體內彌散有金屬金；所述快恢復二極管基體的背面設置有背墊金屬層；

所述快恢復二極管的反向恢復時間為3.5～4.5ns。

10.根據權利要求9所述的快恢復二極管，其特征在于，所述快恢復二極管基體包括襯底，所述襯底上設置有阱區和終端結構；

所述襯底的正面上設置有兩層功能層，每一層所述功能層均包括均與所述襯底正面粘接的第一雜質層、氧化層以及第二雜質層，氧化層設置于第一雜質層和第二雜質層之間，第二雜質層靠近所述襯底的邊緣；

優選地，每一層所述功能層上均覆蓋有絕緣層。