[發(fā)明專利]荷正電納濾膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310056251.0 | 申請日： | 2023-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN116116220A | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊翠平;朱筱瀅;施瑞康;唐影華;陳銓;朱建東;徐永良 | 申請（專利權(quán)）人： | 寶武水務(wù)科技有限公司 |
| 主分類號： | B01D61/02 | 分類號： | B01D61/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人： | 黃一磊 |
| 地址： | 201999 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電納 濾膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，包括：
分別配制活性胺水相溶液和活性酰氯有機(jī)相溶液，所述活性胺水相溶液與所述活性酰氯有機(jī)相溶液的質(zhì)量濃度之比大于5；
將所述活性胺水相溶液倒在基膜表面，并在靜置后倒掉多余的所述活性胺水相溶液；
將所述活性酰氯有機(jī)相溶液倒在所述基膜表面，并在靜置后倒掉多余的所述活性酰氯有機(jī)相溶液。
2.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，在將所述活性胺水相溶液倒在所述基膜表面之前，所述荷正電納濾膜的制備方法還包括：
將基膜的邊緣固定在兩個環(huán)形的夾具之間。
3.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，在倒掉多余的所述活性胺水相溶液之后且在將所述活性酰氯有機(jī)相溶液倒在所述基膜表面之前，所述荷正電納濾膜的制備方法還包括：
使用壓縮空氣吹掃所述基膜表面，直至所述基膜表面無所述活性胺水相溶液的液滴。
4.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，在倒掉多余的所述活性酰氯有機(jī)相溶液之后，所述荷正電納濾膜的制備方法還包括：
待殘留的所述活性酰氯有機(jī)相溶液揮發(fā)后，用去離子水清洗所述基膜。
5.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，所述活性胺水相溶液的質(zhì)量濃度為0.05％～1％，所述活性酰氯有機(jī)相溶液的質(zhì)量濃度為0.01％～0.2％。
6.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，所述活性胺水相溶液中的活性胺包括哌嗪、間苯二胺和聚乙烯亞胺中的一種或至少兩種的混合物。
7.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，所述活性酰氯有機(jī)相溶液中的活性酰氯包括均苯三甲酰氯、間苯二甲酰氯和對苯二甲酰氯中的一種或至少兩種的混合物。
8.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，所述基膜的材料包括聚醚砜、聚砜和聚氯乙烯中的至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，所述活性胺水相溶液在所述基膜表面靜置的時間為0.2min～10min。
10.如權(quán)利要求1所述的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，所述活性酰氯有機(jī)相溶液在所述基膜表面靜置的時間為0.2min～10min。
11.一種荷正電納濾膜，其特征在于，包括：采用如權(quán)利要求1至10中任一項所述的荷正電納濾膜的制備方法制備。
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