[發明專利]固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法及噴霧冷卻系統在審
| 申請號: | 202310053268.0 | 申請日: | 2023-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN116294721A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發明(設計)人: | 張佩佩;李程程;崔辛;梁秀兵;胡振峰;王榮 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍軍事科學院國防科技創新研究院 |
| 主分類號: | F28D15/02 | 分類號: | F28D15/02;F28D15/06;F25B23/00;F25B49/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李正 |
| 地址: | 100071 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 表面 沸騰 相變 行為 調控 方法 噴霧 冷卻系統 | ||
1.一種固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法,其特征在于,以含有表面活性劑的溶液為工作液滴,通過調控所述表面活性劑的濃度以及所述基底的結構,對所述工作液滴的沸騰相變行為進行調控。
2.根據權利要求1所述的固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法,其特征在于,所述表面活性劑為陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑和兩性離子型表面活性劑,所述表面活性劑的濃度為0-12/9CMC。
3.根據權利要求2所述的固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法,其特征在于,所述陰離子表面活性劑為十二烷基磺酸鈉。
4.根據權利要求1所述的固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法,其特征在于,所述基底采用光滑硅片、硅納米線和掩膜版刻蝕光滑硅片得到的硅微米柱基底。
5.根據權利要求1中所述的固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法,其特征在于,將不同濃度的工作液滴從固定高度滴落在高溫基底表面,利用高速攝像機記錄液滴在高溫固體表面液滴沸騰相變行為過程。
6.根據權利要求5中所述的固體表面液滴沸騰相變行為的調控方法,其特征在于,所述工作液滴的注射速度為0.01mL/min,所述工作液滴的下落高度為3.5mm,所述基底的溫度為50~300℃。
7.一種噴霧冷卻系統,采用權利要求1-6中任一項制備噴霧冷卻裝置,其特征在于,包括:噴霧冷卻系統包括霧化模塊、導熱介質模塊和數據控制模塊。
8.根據權利要求7所述的噴霧冷卻系統,其特征在于,所述霧化模塊用于構造霧化表面活性劑工作液滴;所述導熱介質模塊一側用于承接所述工作液滴,另一側用于與待降溫冷卻工件接觸設置,對所述待降溫冷卻工件進行降溫處理;所述數據控制模塊可根據導熱介質模塊的溫度以及目標降溫速率,對所述工作液滴的組成進行調控,實現降溫速率的調控。
9.根據權利要求7-8中任一項所述的噴霧冷卻系統,其特征在于,所述導熱介質模塊選用導熱系數≥50W/(m·K)的材料。
10.根據權利要求7-9中任一項所述的噴霧冷卻系統,其特征在于,所述導熱介質模塊選用權利要求1-6中任一項所述的調控方法中所述的基底;
優選地,所述工作液滴中含有表面活性劑。
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