[發(fā)明專利]一種用于嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)緩存方法及系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310052150.6 | 申請日: | 2023-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN116312689A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈浩翔;楊濤;陳鑫 | 申請(專利權(quán))人: | 南京長亞軌道交通科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/413 | 分類號: | G11C11/413;G11C7/10;G11C7/22;G11C8/12;G06F12/0897 |
| 代理公司: | 南京新慧恒誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32424 | 代理人: | 王皎 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 嵌入式 操作系統(tǒng) 實(shí)時 數(shù)據(jù) 緩存 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種用于嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)緩存方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:從控MCU采集經(jīng)AD轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)后,發(fā)出寫入指令至模擬開關(guān)單元;模擬開關(guān)單元將選擇SRAM數(shù)據(jù)緩存單元中兩片SRAM的其中一片作為待寫入SRAM,從控MCU將采集的數(shù)據(jù)傳輸并緩存至待寫入SRAM內(nèi);
步驟2:待寫入SRAM的空間緩存滿后,從控MCU發(fā)出切換信號至模擬開關(guān)單元并發(fā)出切換中斷信號至主控MCU;
模擬開關(guān)單元接收到切換信號后,切換另一片SRAM作為待寫入SRAM,并將空間緩存滿后的SRAM切換為待讀取SRAM;從控MCU將采集的數(shù)據(jù)傳輸并緩存至待寫入SRAM內(nèi);在數(shù)據(jù)傳輸并緩存至待寫入SRAM期間,主控MCU將接收到切換中斷信號,并發(fā)出讀取指令至模擬開關(guān)單元;模擬開關(guān)接受到讀取指令后提取待讀取SRAM內(nèi)的緩存數(shù)據(jù);
步驟3:重復(fù)步驟2實(shí)現(xiàn)循環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)緩存方法,其特征在于,
步驟1以及步驟2中,從控MCU接收的數(shù)據(jù)經(jīng)過數(shù)字隔離后被傳輸并緩存至待寫入SRAM內(nèi);
步驟2中,從控MCU發(fā)出的切換信號、切換中斷信號分別經(jīng)過數(shù)字隔離后傳輸至模擬開關(guān)單元、主控MCU。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)緩存方法,其特征在于,
模擬開關(guān)單元包括兩組模擬開關(guān)模塊,其中一個模擬開關(guān)模塊用于切換從控MCU與兩片SRAM的連接關(guān)系,另一個模擬開關(guān)模塊用于切換主控MCU與兩片SRAM的連接關(guān)系;
從控MCU發(fā)出的切換信號在經(jīng)過數(shù)字隔離后控制兩組模擬開關(guān)模塊進(jìn)行切換,以保證從控MCU在將接收的數(shù)據(jù)傳輸并緩存至待寫入SRAM內(nèi)時,主控MCU只會對待讀取SRAM內(nèi)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。
4.一種用于嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),其特征在于,包括:
AD轉(zhuǎn)換模塊、從控MCU、主控MCU、模擬開關(guān)單元和SRAM數(shù)據(jù)緩存單元;其中,模擬開關(guān)單元包括模擬開關(guān)模塊一和模擬開關(guān)模塊二;SRAM數(shù)據(jù)緩存單元包括兩個串行的SRAM緩存模塊;
AD轉(zhuǎn)換模塊連接于傳感器與從控MCU之間;從控MCU與模擬開關(guān)模塊一、模擬開關(guān)模塊二以及主控MCU相連;主控MCU與模擬開關(guān)模塊二相連;模擬開關(guān)模塊一、模擬開關(guān)模塊二分別與兩個SRAM緩存模塊相連;
AD轉(zhuǎn)換模塊用于將傳感器采集的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號,從控MCU用于采集AD轉(zhuǎn)換模塊發(fā)出的數(shù)字信號并將數(shù)字信號傳輸并緩存至由模擬開關(guān)模塊一選擇的其中一個SRAM緩存模塊的SRAM內(nèi);
待被選擇的SRAM緩存模塊中SRAM的空間緩存滿后,從控MCU發(fā)出SRAM切換信號以及切換中斷信號;模擬開關(guān)單元用于接收SRAM切換信號,在接收到信號后,由模擬開關(guān)模塊一切換另一片SRAM作為待寫入SRAM,由模擬開關(guān)模塊二切換空間緩存滿后的SRAM切換為待讀取SRAM;
主控MCU用于接收切換中斷信號,在接收到信號后,主控MCU提取待讀取SRAM內(nèi)的緩存數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)時數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),其特征在于,還包括:數(shù)字隔離單元,數(shù)字隔離單元包括數(shù)字隔離模塊一、數(shù)字隔離模塊二和數(shù)字隔離模塊三;
數(shù)字隔離模塊一連接于從控MCU與主控MCU之間,用于對切換中斷信號進(jìn)行數(shù)字隔離;數(shù)字隔離模塊二連接于從控MCU與模擬開關(guān)模塊一之間,用于對從控MCU傳輸?shù)臄?shù)字信號進(jìn)行數(shù)字隔離;數(shù)字隔離模塊三與從控MCU以及模擬開關(guān)模塊一、模擬開關(guān)模塊二相連,用于對SRAM切換信號進(jìn)行數(shù)字隔離。
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