[發(fā)明專利]一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310040855.6
• 申請日: 2023-01-12
• 公開（公告）號: CN116380930A
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張健
• 申請（專利權(quán)）人: 全訊射頻科技(無錫)有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N21/88
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227
• 代理人: 彭學(xué)飛;顧吉云

1.一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法，其特征在于，其包括以下步驟：

（a）將等離子切割后的濾波器晶圓芯片的正面朝上放置并在?AOI?檢測設(shè)備的真空吸盤上固定；

（b）開啟AOI?檢測設(shè)備的光學(xué)鏡頭，對濾波器晶圓芯片進(jìn)行光學(xué)影像對位，掃描出單顆目標(biāo)芯片的標(biāo)準(zhǔn)形貌圖以及晶圓芯片整體的芯片分布圖；

（c）對步驟（b）中掃描出的單顆目標(biāo)芯片的標(biāo)準(zhǔn)形貌圖進(jìn)行不良缺陷圖層設(shè)定；

（d）對步驟（c）中設(shè)定的不良缺陷圖層進(jìn)行參數(shù)設(shè)定和算法設(shè)定；

（e）對設(shè)置好參數(shù)和算法的待測晶圓芯片進(jìn)行掃描并核查最終掃描結(jié)果的準(zhǔn)確性；

?（f）輸出目標(biāo)晶圓芯片的良率結(jié)果和不良缺陷的分布圖。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法，其特征在于，步驟（a）中，濾波器晶圓芯片為晶圓級薄膜封裝芯片，晶圓尺寸為?4?英寸、6?英寸、8?英寸中的任一種，?晶圓芯片表面由濾波器芯片和參考芯片組成，橫縱相鄰參考芯片之間分布的濾波器芯片數(shù)量分別為?10~20個和20~30?個，且參考芯片表面帶有特征圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法，其特征在于，濾波器晶圓芯片包含功能區(qū)域與切割道區(qū)域，其中功能區(qū)域表面包括叉指電極、金屬電極，苯并環(huán)丁烯、導(dǎo)電凸球，導(dǎo)電凸球材質(zhì)為錫且數(shù)量為?5~12個，切割道區(qū)域由硅組成，寬度為?3~12μm，芯片功能區(qū)最外層由氮化硅薄膜密封，厚度為1~10μm，芯片面積為?0.1~2mm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法，其特征在于，步驟（b）中的設(shè)備光源為?LED光，光照形式為直射光，光學(xué)鏡頭距離晶圓表面的距離為5~20mm，采用的放大倍數(shù)為?5X或10X中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法，其特征在于，步驟（b）中掃描晶圓芯片整體的芯片分布圖和標(biāo)準(zhǔn)形貌圖的詳細(xì)步驟主要為：先對芯片進(jìn)行橫縱邊界確認(rèn)，橫縱邊界距離濾波器切割道邊緣?5~20μm，再通過芯片功能區(qū)導(dǎo)電凸球及邊緣輪廓識別芯片?表面特征掃描出晶圓整體的芯片分布圖，最后通過掃描濾波器晶圓芯片不同位置的?5~30?顆濾波器芯片，經(jīng)過圖像處理和算法計算，合成確定出單顆芯片的標(biāo)準(zhǔn)形貌圖，標(biāo)準(zhǔn)形貌圖中的切割道區(qū)域灰階值?為100~150，導(dǎo)電凸球表面灰階值為5~20，叉指電極灰階值為80~120，金屬電極灰階值為150~200。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子切割的濾波器芯片AOI不良檢測方法，其特征在于，步驟（c）中不良缺陷圖層的具體設(shè)定步驟和檢測目的為：首先在距離標(biāo)準(zhǔn)形貌圖切割道10~20μm?的位置設(shè)置未切割矩形圖層以檢測切割道橋連，未切割矩形圖層長度等于切割道邊緣長度，寬度為?3~5μ?m，其次在標(biāo)準(zhǔn)形貌圖切割道四周邊緣位置設(shè)置偏移矩形圖層以檢測notching和切痕偏移，偏移矩形圖層長度等于切割道邊緣長度，寬度為?3~5μm；對于功能區(qū)域，首先設(shè)置橢圓形凸球表面圖層覆蓋導(dǎo)電凸球以檢測凸球缺失，凸球圖層數(shù)量與凸球數(shù)量一致；其次再設(shè)置叉指表面矩形圖層覆蓋叉指電極以檢測叉指損傷，叉指表面矩形圖層數(shù)量與叉指電極數(shù)量保持一致，最后設(shè)置覆蓋整個功能區(qū)域的顆粒物矩形圖層以檢測顆粒物沾污。