[發明專利]改善卡點印的硅片表面沉積工藝

在審

• 申請號: 202310040234.8
• 申請日: 2023-01-12
• 公開（公告）號: CN116121729A
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 程平;張飛;孫鐵囤
• 申請（專利權）人: 常州億晶光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/505;C23C16/34;C23C16/02
• 代理公司: 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258
• 代理人: 張秋月

1.一種改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

包括：

S1，預通氣：在氧化鋁成膜前，通入笑氣和三甲基鋁，并恒定壓力；

S2，氧化鋁沉積：繼續通入笑氣和三甲基鋁，并間歇性開啟射頻，以在石墨舟上的硅片表面沉積氧化鋁；其中，射頻功率為3000～5000W，射頻開關比的比值小于0.02。

2.根據權利要求1所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

S2中，射頻開關比為20ms:1200ms。

3.根據權利要求1所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

S1中，工藝溫度為350℃，笑氣流量為5000±500sccm，三甲基鋁流量為50g/h，壓力為1500mtorr，工藝時間為20s。

4.根據權利要求1所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

S2中，工藝溫度為350℃，笑氣流量為5000±500sccm，三甲基鋁流量為50g/h，壓力為1500mtorr，工藝時間為120s。

5.根據權利要求1所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

還包括：

S3，笑氣修復：抽真空后，通入清洗氣體，并間歇性開啟射頻，以清理殘留的反應氣體；其中，清洗氣體為笑氣和氨氣的混合氣體或笑氣。

6.根據權利要求5所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

S3中，氣體流量為5000±500sccm，壓力為1500mtorr，射頻功率為4000W，開關比為50ms:1000ms。

7.根據權利要求5所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

還包括：

S4，沉積氮化硅：抽真空后，通入硅烷和氨氣，并間歇性開啟射頻，以在最外層沉積氮化硅。

8.根據權利要求7所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

S4中，工藝時間600±50s，硅烷流量為1500±300sccm，氨氣流量為12000±500sccm，射頻功率為13000W，射頻開關比為50ms:500ms，壓強為1600±300mtorr。

9.根據權利要求7所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

還包括：

S5，出舟：抽真空，使爐內壓強為零，然后充氮氣，使爐內壓強達到與大氣壓等同，開爐門出舟。

10.根據權利要求1所述的改善卡點印的硅片表面沉積工藝，其特征在于，

S1前還包括：

S01，入爐：將進行洗磷后拋光的硅片放入PE鍍膜設備的石墨舟的舟托上，然后勻速推至爐內，推入過程中同時向爐內充入氮氣，爐內初始溫度為400±70℃，氮氣流量為5000±500sccm，壓強為10000mtorr；

S02，恒溫：將石墨舟推送至爐內指定位置后，SiC槳退回至爐外初始位置，關閉爐門，溫度恒定在300±50℃，氮氣流量為5000±500sccm，壓強為10000mtorr；

S03，抽真空：溫度穩定后，對爐內進行抽真空，使爐內保持低壓真空狀態然后對爐管進行氣密性檢測。