[發明專利]一種光纖預制棒及其制備方法在審
| 申請號： | 202310039537.8 | 申請日： | 2023-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN116573847A | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發明（設計）人： | 樊軒;田錦成;崔東明;萬子龍 | 申請（專利權）人： | 武漢烽火銳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | C03B37/012 | 分類號： | C03B37/012 |
| 代理公司： | 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 張凱 |
| 地址： | 430000 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光纖 預制 及其 制備 方法 | ||
本申請涉及一種光纖預制棒及其制備方法，其包括：基于光纖的芯層半徑、芯層相對折射率、包層半徑以及光纖預制棒的質量，得到芯層所需的硅粉質量和對折射率有貢獻的折射率粉料質量，以及包層所需的硅粉質量；將芯層所需的硅粉和對折射率有貢獻的折射率粉料混勻，得到芯層對應的芯層預制粉；將芯層對應的芯層預制粉送入芯層壓鑄模具中進行壓鑄，得到芯層預制件，將所述芯層預制件與包層所需的硅粉質量送入包層壓鑄模具中進行壓鑄，得到光纖預制棒半成品；將所述光纖預制棒半成品進行燒結，得到光纖預制棒。本申請可以解決相關技術中制棒的工藝依然存在生產穩定性差、原材料利用率低、波導結構成型困難的問題。
技術領域
本申請涉及光纖技術領域，特別涉及一種光纖預制棒及其制備方法。
背景技術
當前光纖預制棒的主流制備方法是VAD和OVD，他們靠噴燈噴出D4或四氯化硅，在氫氧焰的作用下水解得到二氧化硅粉末，并通過靶棒進行收集。
該方法在沉積時，二氧化硅粉末的收率效率較低，一般只有40％左右。
在進行摻雜時，主要靠在原料里摻入四氯化鍺并同樣通過水解得到二氧化鍺。
為了得到芯層、包層等不同的波導結構。需要用不同噴燈噴出含量不同的原料。
原料的收集效率受設備的壓力、送風穩定性、送風溫度、噴燈結構穩定性、送料壓力穩定性、氫氧焰火焰穩定性等因素的影響較大。任何一個因素有波動，產品的結構與質量都會收到影響。
因此，當前制棒的工藝依然存在生產穩定性差、原材料利用率低、波導結構成型困難等問題。
發明內容
本申請實施例提供一種光纖預制棒及其制備方法，以解決相關技術中制棒的工藝依然存在生產穩定性差、原材料利用率低、波導結構成型困難的問題。
第一方面，提供了一種光纖預制棒的制備方法，其包括：
基于光纖的芯層半徑、芯層相對折射率、包層半徑以及光纖預制棒的質量，得到芯層所需的硅粉質量和對折射率有貢獻的折射率粉料質量，以及包層所需的硅粉質量；
將芯層所需的硅粉和對折射率有貢獻的折射率粉料混勻，得到芯層對應的芯層預制粉；
將芯層對應的芯層預制粉送入芯層壓鑄模具中進行壓鑄，得到芯層預制件，將所述芯層預制件與包層所需的硅粉質量送入包層壓鑄模具中進行壓鑄，得到光纖預制棒半成品；
將所述光纖預制棒半成品進行燒結，得到光纖預制棒。
一些實施例中，基于光纖的芯層半徑、芯層相對折射率、包層半徑以及光纖預制棒的質量，得到芯層所需的硅粉質量和對折射率有貢獻的折射率粉料質量，以及包層所需的硅粉質量，包括如下步驟：
獲取相對折射率轉化系數；
結合第一映射關系、相對折射率轉化系數、光纖的芯層半徑、芯層相對折射率、包層半徑以及光纖預制棒的質量，反算出芯層所需的硅粉質量和對折射率有貢獻的折射率粉料質量，以及包層所需的硅粉質量。
一些實施例中，獲取相對折射率轉化系數，包括如下步驟：
稱取一定質量的硅粉和對折射率有貢獻的折射率粉料，混勻后壓鑄并得到芯層預制粉棒；
測量該芯層預制粉棒的相對折射率，并結合第一映射關系、所稱取的硅粉的質量和折射率粉料的質量，反算出相對折射率轉化系數。
一些實施例中，第一映射關系包括：
其中，Δ％為芯層的相對折射率，m1為硅粉的質量，m2為對折射率有貢獻的折射率粉料的質量，K1為相對折射率轉化系數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢烽火銳拓科技有限公司，未經武漢烽火銳拓科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310039537.8/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
