[發明專利]真空滅弧室觸頭結構

在審

• 申請號: 202310028580.4
• 申請日: 2023-01-09
• 公開（公告）號: CN116313628A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 吳益飛;楊飛;顧展布;孫晉茹;榮命哲;吳翊;紐春萍
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 覃婧嬋

本發明公開了一種真空滅弧室觸頭結構，真空滅弧室觸頭結構中，靜觸頭設于所述靜導電桿的底端，所述靜觸頭具有第一直徑，動觸頭對齊所述靜觸頭，所述動觸頭具有小于第一直徑的第二直徑，動導電桿自所述動觸頭遠離所述靜觸頭的一端延伸，縱磁觸頭套設于動觸頭的外圍且相對于所述動觸頭可移動，所述縱磁觸頭具有中空的第二直徑的內徑和第三直徑的外徑，觸頭基座自所述縱磁觸頭遠離靜觸頭一端延伸，所述觸頭基座遠離靜觸頭的一端內側設有凹槽，凹槽內設置抵接動導電桿的彈簧觸指，觸頭基座和動導電桿形成并聯關系使得縱磁觸頭和動觸頭等電位且可相對運動。

技術領域

本發明涉及真空滅弧室技術領域，尤其涉及一種真空滅弧室觸頭結構。

背景技術

隨著電力系統的不斷發展，開關電器在電力系統中扮演的角色愈發重要。真空滅弧室作為真空斷路器中的核心結構，承擔著引弧和滅弧的重要職責。近些年來，隨著真空開關在高電壓、大電流的電力系統中的應用越來越普遍，對于真空滅弧室的性能要求也越來越高。真空滅弧室通過特定的觸頭結構，能夠使得在觸頭之間形成的電弧電流產生平行于它們的縱向磁場，縱向磁場作用于電弧電流，能夠使得在陽極附近的離子大大增加，降低電弧電壓，減少對于觸頭的燒蝕，使得擴散型電弧轉向集聚型電弧，提高真空滅弧室的滅弧能力。為了提高滅弧性能，真空滅弧室通常會通過增大觸頭直徑的方式，但是一味地增大觸頭直徑會導致觸頭質量過大，浪費過多的操作功，還會導致機構的負荷過大，久而久之會影響真空滅弧室整體的壽命。

在背景技術部分中公開的上述信息僅僅用于增強對本發明背景的理解，因此可能包含不構成本領域普通技術人員公知的現有技術的信息。

發明內容

本發明的目的是提供一種真空滅弧室觸頭結構，有效減少了動觸頭機構的負荷，有效提高了滅弧性能，在由觸頭結構形成的縱向磁場的作用下，真空電弧能夠更快地熄滅，減輕觸頭燒蝕及滅弧室其他零件的燒蝕情況。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明的一種真空滅弧室觸頭結構包括，

靜導電桿；

靜觸頭，其設于所述靜導電桿的底端，所述靜觸頭具有第一直徑；

動觸頭，其對齊所述靜觸頭，所述動觸頭具有小于第一直徑的第二直徑；

動導電桿，其自所述動觸頭遠離所述靜觸頭的一端延伸；

縱磁觸頭，其套設于動觸頭的外圍且相對于所述動觸頭可移動，所述縱磁觸頭具有中空的第二直徑的內徑和第三直徑的外徑；

觸頭基座，其自所述縱磁觸頭遠離靜觸頭一端延伸，所述觸頭基座遠離靜觸頭的一端內側設有凹槽，凹槽內設置抵接動導電桿的彈簧觸指，觸頭基座和動導電桿形成并聯關系使得縱磁觸頭和動觸頭等電位且可相對運動。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，靜觸頭、動觸頭和縱磁觸頭的側壁上沿其周向方向均勻分布若干個斜槽。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，所述靜觸頭和動觸頭為中空結構。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，第三直徑等于第一直徑。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，縱磁觸頭的放置高度低于動觸頭，當靜觸頭與動觸頭分離時，縱磁觸頭與動觸頭大致在同一高度。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，縱磁觸頭與觸頭基座焊接在真空滅弧室上。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，靜觸頭和所述靜導電桿同軸連接，動導電桿和動觸頭同軸連接，觸頭基座和所述縱磁觸頭同軸連接。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，靜觸頭、動觸頭和所述縱磁觸頭共軸。

所述的真空滅弧室觸頭結構中，所述靜觸頭與動觸頭相接觸的表面均設有觸頭片。