[發明專利]偏光件、偏光板、以及偏光件的制造方法在審
| 申請號: | 202310024077.1 | 申請日: | 2023-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN116577861A | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 井之原拓實;中西貞裕 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30;B29D11/00;B32B33/00;B32B7/12;G02B1/10;G02B1/14;G02F1/1335;G02F1/1337 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;韓平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 偏光 以及 制造 方法 | ||
1.一種偏光件,其具有非偏光部,
所述偏光件包含具有磺酸鹽基的溶致液晶材料和二色性物質,
所述磺酸鹽基包含選自銨離子、堿土金屬陽離子、過渡金屬陽離子或貧金屬陽離子中的抗衡陽離子。
2.根據權利要求1所述的偏光件,其中,
所述銨離子為在分子中具有2個以上氮原子的銨離子,
所述堿土金屬陽離子選自Mg2+、Ca2+、Sr2+或Ba2+,
所述過渡金屬陽離子選自La3+、Fe3+、Cr3+、Mn2+、Cu2+或Ce3+,
所述貧金屬陽離子選自Al3+、Pb2+、Sn2+或Zn2+。
3.根據權利要求2所述的偏光件,其中,所述磺酸鹽基包含Sr2+。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的偏光件,其中,所述偏光件中的除非偏光部以外的部分的偏光度為95%以上。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的偏光件,其中,所述偏光件的厚度為5μm以下。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的偏光件,其中,所述溶致液晶材料為具有包含環結構、與環結構鍵合的連接基團、以及所述磺酸鹽基的結構單元的溶致液晶性聚合物,
所述連接基團連接包含在同一結構單元中的多個環結構、或連接包含在不同的結構單元中的環結構,且包含sp3碳和/或酰胺鍵。
7.一種偏光板,其具備:
權利要求1~6中任一項所述的偏光件、
配置在所述偏光件的厚度方向的一側的保護層、以及
將所述偏光件粘接于所述保護層的底漆層。
8.一種偏光件的制造方法,其包括如下的工序:
在包含具有磺基和/或磺酸堿金屬鹽基的溶致液晶材料和二色性物質的偏光件上以偏光件的一部分露出的方式粘貼表面保護薄膜的工序;
使從所述表面保護薄膜露出的偏光件的一部分接觸水而脫色,形成非偏光部的工序;以及
將所述表面保護薄膜從具有非偏光部的偏光件剝離后,使偏光件與處理液接觸的工序,
所述處理液包含選自銨離子、堿土金屬陽離子、過渡金屬陽離子或貧金屬陽離子中的至少1種陽離子。
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