[發(fā)明專利]光學(xué)層疊體在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310024061.0 | 申請(qǐng)日： | 2023-01-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116577860A | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 井之原拓實(shí);中西貞裕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G02B5/30 | 分類號(hào)： | G02B5/30;G02B1/10;G02B1/14;G02F1/1335;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;韓平 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 層疊 | ||
1.一種光學(xué)層疊體，其具備：
包含溶致液晶性聚合物和二色性物質(zhì)的偏光件、以及
配置在所述偏光件的厚度方向的一側(cè)的相位差層，
所述偏光件的厚度與所述相位差層的厚度的總和為7μm以下，
所述溶致液晶性聚合物具有包含環(huán)結(jié)構(gòu)、與環(huán)結(jié)構(gòu)鍵合的連接基團(tuán)、以及磺基和/或磺酸鹽基的結(jié)構(gòu)單元，
所述連接基團(tuán)連接包含在同一結(jié)構(gòu)單元中的多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)、或連接包含在不同的結(jié)構(gòu)單元中的環(huán)結(jié)構(gòu)，且包含sp3碳和/或酰胺鍵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)層疊體，其中，所述連接基團(tuán)包含sp3碳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)層疊體，其中，所述結(jié)構(gòu)單元如下述式(1)所示，
式(1)中，X表示氫原子、或選自銨離子、堿金屬陽離子、堿土金屬陽離子、過渡金屬陽離子和貧金屬陽離子的抗衡陽離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體，其中，在所述相位差層中，Re(450)/Re(550)為1.00以下，且Re(650)/Re(550)為1.00以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體，其中，
所述相位差層作為λ/4板發(fā)揮功能，
所述相位差層的慢軸與所述偏光件的吸收軸所形成的角度為42°以上且48°以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體，其中，
所述偏光件包含在偏光板中，
所述偏光板還具備：
相對(duì)于所述偏光件位于與所述相位差層相反一側(cè)的保護(hù)層、以及
將所述偏光件粘接于所述保護(hù)層的底漆層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體，其中，
所述相位差層借助粘合劑層貼合于所述偏光板，
所述偏光板的厚度、所述粘合劑層的厚度和所述相位差層的厚度的總和為45μm以下。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日東電工株式會(huì)社，未經(jīng)日東電工株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310024061.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：纖維素粒子
- 下一篇：偏光件、偏光板、以及偏光件的制造方法
