[發明專利]晶片的拋光方法及晶片

在審

• 申請號: 202310019781.8
• 申請日: 2023-01-06
• 公開（公告）號: CN116117681A
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 梁成華
• 申請（專利權）人: 藍思科技（長沙）有限公司
• 主分類號: B24B37/08
• 分類號: B24B37/08;B24B37/04;B24B7/22
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662
• 代理人: 蔡良偉

1.一種晶片的拋光方法，其特征在于，包括：

對晶片的雙面進行第一次研磨，獲得一級晶片；

對所述一級晶片進行雙面拋光，獲得二級晶片，所述二級晶片的粗糙度為第一目標粗糙度；

將所述二級晶片的第一面覆壓至底座上，以在所述第一面和所述底座之間形成光圈；

對貼合在所述底座上的所述二級晶片的第二面進行第二次研磨，以得到目標晶片，所述目標晶片的第二面的粗糙度為第二目標粗糙度，所述第二目標粗糙度大于所述第一目標粗糙度。

2.根據權利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述底座具有用于與所述二級晶片貼合的貼合面，所述貼合面具有第三粗糙度，所述第三粗糙度小于或者等于所述第一目標粗糙度，且所述貼合面的平整度小于或者等于所述二級晶片的平整度。

3.根據權利要求2所述的拋光方法，其特征在于，所述底座的材質為藍寶石或陶瓷。

4.根據權利要求1至3任一項所述的拋光方法，其特征在于，所述將所述二級晶片的第一面覆壓至底座上，以在所述第一面和所述底座之間形成光圈的步驟之后還包括：在所述二級晶片和所述底座貼合的邊緣處連續涂覆膠水。

5.根據權利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述將所述二級晶片的第一面覆壓至底座上，以在所述第一面和所述底座之間形成光圈包括：采用氣壓頭對所述二級晶片施壓，以使所述二級晶片與所述底座貼合緊密。

6.根據權利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述對貼合在所述底座上的所述二級晶片的第二面進行第二次研磨，以得到目標晶片的步驟包括：使用單面研磨機，所述單面研磨機包括相對設置的上拋頭和下鑄鐵盤，將所述底座放置于所述下鑄鐵盤中，所述二級晶片的第二面朝向所述上拋頭，然后通過所述單面研磨機對所述二級晶片的第二面進行第二次研磨，得到目標晶片。

7.根據權利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述對所述一級晶片進行雙面拋光，獲得二級晶片的步驟包括：

使用第一雙面研磨機，所述第一雙面研磨機包括相對設置的上銅盤和下銅盤，在所述下銅盤內加入第一拋光液，然后通過第一雙面研磨機對所述一級晶片進行粗拋光，獲得粗拋晶片；

使用第二雙面研磨機，所述第二雙面研磨機包括相對設置的上磨皮盤和下磨皮盤，在所述下磨皮盤內加入第二拋光液，然后通過第二雙面研磨機對所述粗拋晶片進行精拋光，獲得二級晶片。

8.根據權利要求1所述的晶片的拋光方法，其特征在于，所述對晶片的雙面進行第一次研磨，獲得一級晶片的步驟包括：使用第三雙面研磨機，所述第三雙面研磨機包括相對設置的上鑄鐵盤和下鑄鐵盤，在所述下鑄鐵盤內加入碳化硼研磨液，然后通過所述第三雙面研磨機對所述晶片進行第一次研磨，獲得一級晶片。

9.根據權利要求1至3任一項所述的晶片的拋光方法，其特征在于，所述一級晶片的粗糙度為700nm～1000nm，平整度小于或者等于15μm；和/或，

所述第一目標粗糙度小于或者等于0.2nm，二級晶片的平整度小于5μm；和/或，

所述底座的粗糙度小于10nm，平整度小于5μm；和/或，

所述第二目標粗糙度為700nm～1000nm，目標晶片的平整度小于2μm。

10.一種晶片，其特征在于，采用如權利要求1至9任一項所述的晶片的拋光方法制備得到。