[發明專利]一種中子管測試裝置以及測試方法

在審

• 申請號: 202310019713.1
• 申請日: 2023-01-06
• 公開（公告）號: CN116243367A
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 中科超睿(青島)技術有限公司
• 主分類號: G01T3/00
• 分類號: G01T3/00
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 尉保芳

1.一種中子管測試裝置，其特征在于，包括：真空機構、氣氛控制機構、饋入機構與支撐機構，所述真空機構與所述氣氛控制機構均安裝在所述支撐機構上，所述饋入機構安裝在所述真空機構中，所述氣氛控制機構與所述真空機構連接，所述饋入機構用于安裝中子管的離子源組件、中子靶和加速電極，并提供測試電壓。

2.根據權利要求1所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，所述真空機構包括：真空腔室、真空抽氣設備與真空測量設備，所述真空抽氣設備和所述真空測量設備均與所述真空腔室連接，所述饋入機構安裝在所述真空腔室中，所述氣氛控制機構與所述真空腔室連接，所述真空機構連接有放氣閥。

3.根據權利要求2所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，所述真空抽氣設備包括多個干泵、分子泵、電磁閥與插板閥，所述分子泵通過所述插板閥與所述真空腔室連接。

4.根據權利要求1所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，所述饋入機構包括：用于安裝中子管的離子源組件的第一電極組件、用于安裝中子靶和加速電極的第二電極組件，所述第一電極組件設置在所述真空機構的底部，所述第二電極組件設置在所述真空機構的頂部。

5.根據權利要求4所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，所述第一電極組件與第二電極組件同軸設置，所述第二電極組件中設有分壓電阻，所述第二電極組件中設有兩個饋入電極，兩個所述饋入電極上一一對應設有用于安裝中子靶和加速電極的螺紋。

6.根據權利要求1所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，所述氣氛控制機構包括：氣瓶、流量控制閥、第三電磁閥，所述氣瓶通過管路與所述流量控制閥的一端連接，所述第三電磁閥的一端通過管路與所述流量控制閥的另一端連接，所述第三電磁閥的另一端通過管路與所述真空機構連接。

7.根據權利要求1所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，所述支撐機構包括：測試平臺支撐架體、用于安裝中子管的離子源組件的離子源外殼、離子源支架，所述真空機構以及所述氣氛控制機構、所述離子源支架均安裝在所述測試平臺支撐架體上，所述離子源外殼與所述離子源支架通過螺紋連接。

8.根據權利要求1所述的一種中子管測試裝置，其特征在于，還包括：控制機構，所述控制機構分別與所述真空機構、氣氛控制機構以及饋入機構連接。

9.一種中子管測試方法，其特征在于，基于上述權利要求1至8任意一項所述的一種中子管測試裝置，中子管測試方法包括：

S1、將中子管的離子源組件、中子靶和加速電極分別安裝在饋入機構上；

S2、將饋入機構放入真空機構中；

S3、將真空機構調整至預設真空度；

S4、將通過氣氛控制機構向真空機構通入氣體；

S5、將通過饋入機構將離子源組件產生的離子束加速并使其轟擊中子靶產生中子；

S6、將對中子靶產生的中子進行測量。

10.根據權利要求9所述的一種中子管測試方法，其特征在于，所述步驟S6之后包括：

測試完成后，關閉真空機構并放氣，直至真空機構的真空度與大氣壓相同；

取出中子管的離子源組件、中子靶和加速電極。