[發明專利]一種芯片散熱封裝結構及其形成方法在審
| 申請號: | 202310012352.8 | 申請日: | 2023-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN116013885A | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 張鵬;樊嘉祺;孫鵬;耿菲 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/473 | 分類號: | H01L23/473;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司: | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 散熱 封裝 結構 及其 形成 方法 | ||
本發明涉及一種芯片散熱封裝結構,包括:微流道蓋板,其布置在芯片的上方,且被配置為為芯片散熱,并保護芯片;下微流道板,其與微流道蓋板連接,且被配置為對芯片進行多面散熱;芯片,其布置在所述下微流道板中;基板結構,其與所述下微流道板連接。該芯片散熱封裝結構中,在芯片的六面均設置有微流道,能夠對芯片進行六面散熱,能夠對熱流密度較高的芯片進行全面散熱。
技術領域
本發明涉及半導體封裝技術領域,尤其涉及一種芯片散熱封裝結構及其形成方法。
背景技術
隨著芯片尺寸的不斷減小,芯片集成度的不斷提高,功能越來越強大,封裝密度也越來越高。這使得單位體積芯片的功耗急劇增大,芯片的溫度急劇升高,導致芯片的可靠性降低,影響芯片的正常工作。研究發現,有源器件的溫度每升高10℃,系統可靠性將降低一半。同時超過55%的電子設備的失效是由于溫度過高造成的。由此可見,芯片的散熱已經成為電子設備正常運行的關鍵要素,而微流道散熱是非常有效的解決方案。目前常見的微流道組裝方案有三種,一種是微流道冷板通過熱界面貼在封裝蓋的背面,該方案優點是容易實現,缺點是尺寸過大、熱阻較大;第二種是直接在熱源芯片背面制作微流道,熱阻最小,但制作難度大;第三種是封裝蓋內集成微流道冷板,該方案實現簡單,熱阻較小。此外,現有的散熱方案大多是單面或雙面散熱,缺少對芯片的六面散熱,對高性能芯片的散熱能力不足。
發明內容
為解決現有技術中的上述問題中的至少一部分問題,本發明提供了一種芯片散熱封裝結構及其形成方法,該芯片散熱封裝結構中,在芯片的六面均設置有微流道,能夠對芯片進行六面散熱,并且在利用金屬導熱棒直接接觸芯片發熱面,將熱量更直接、快速的向外傳遞,能夠對熱流密度較高的芯片進行全面散熱。
在本發明的第一方面,本發明提供一種芯片散熱封裝結構,包括:
微流道蓋板,其布置在芯片的上方,且被配置為為芯片散熱,并保護芯片;
下微流道板,其與微流道蓋板連接,且被配置為對芯片進行多面散熱;
芯片,其布置在所述下微流道板中;
基板結構,其與所述下微流道板連接。
進一步地,微流道蓋板包括:
第一晶圓,其具有第一微流道槽;
第二晶圓,其具有第二微流道槽,其中第二晶圓與第一晶圓鍵合,第一微流道槽和第二微流道槽組合構成第一微流道結構;
第一進液口,其貫穿第二晶圓,并與第一微流道結構連通;
第一出液口,其貫穿第二晶圓,并與第一微流道結構連通;
第一通孔,其貫穿第一晶圓與第二晶圓。
進一步地,下微流道板包括:
第三晶圓;
凹槽,其位于第三晶圓的正面;
第三微流道槽,其位于第三晶圓的背面;
導電硅通孔,其貫穿第三晶圓;
第三通孔,其位于凹槽的下方,并與凹槽連通;
第二進液口,其貫穿第三晶圓,并與第一進液口連通;
第二出液口,其貫穿第三晶圓,并與第一出液口連通。
進一步地,基板結構包括:基板;
總進液口,其位于基板的背面;
多個進液支路,其位于基板的正面,并與總進液口連通;
總出液口,其位于基板的背面;
多個出液支路,其位于基板的正面,并與總出液口連通;
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