[發明專利]一種非互易性自旋電子器件及其制備方法在審
| 申請號： | 202310012268.6 | 申請日： | 2023-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN116193971A | 公開（公告）日： | 2023-05-30 |
| 發明（設計）人： | 李孟周;蘆增星;勞斌;龔禮光;汪志明;李潤偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H10N50/20 | 分類號： | H10N50/20;H10N50/85;H10N50/01 |
| 代理公司： | 寧波甬致專利代理有限公司 33228 | 代理人： | 錢瑩 |
| 地址： | 315191 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 非互易性 自旋 電子器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種非互易性自旋電子器件，其特征在于，包括襯底(1)和設置在所述襯底(1)上的非互異性輸運層(2)、電流輸入端和電壓測試端，且所述電流輸入端、電壓測試端均與所述非互異性輸運層(2)電連接。
2.如權利要求1所述的非互易性自旋電子器件，其特征在于，所述襯底(1)的材料為氧化硅，所述非互易性輸運層(2)的材料為TaIrTe4。
3.如權利要求1或2所述的非互易性自旋電子器件，其特征在于，當非互易性自旋電子器件通入交流電后，施加旋轉的面內磁場，電流通入方向的電阻二階項與磁場和電流的夾角表現為正弦函數關系；當非互易性自旋電子器件通入交流電后，施加旋轉的面內磁場，電流通入方向的電阻二階項幅值與電流強度和磁感應強度均成線性關系。
4.一種如權利要求1-3任一所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法具體包括如下步驟：
S1、清洗襯底(1)并對清洗后的襯底(1)進行氧等離子體表面處理；
S2、對TaIrTe4進行減薄處理，并將經過減薄處理后的TaIrTe4轉移至步驟S1得到的襯底(1)表面得到非互易性輸運層(2)；
S3、根據電極設計，對步驟S2得到的襯底(1)表面進行光刻獲得所需的電極圖案；
S4、使用電子束蒸鍍在帶有電極圖案的襯底(1)表面生長電極；
S5、去除步驟S4中襯底(1)表面的光刻膠得到非互易性自旋電子器件。
5.如權利要求4所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，氧等離子體表面處理的功率范圍為100-200W，處理時間為3-10min。
6.如權利要求4所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，減薄處理后的TaIrTe4的厚度為30-150nm。
7.如權利要求6所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，減薄處理的材料為熱釋放膠帶。
8.如權利要求4所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，光刻技術選自紫外曝光或電子束曝光。
9.如權利要求4所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述電極為雙層電極，所述雙層電極的上層材料為Au或Cu，所述雙層電極的下層材料為Ti或Ta。
10.如權利要求4所述的非互易性自旋電子器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中，去除光刻膠的材料為N-甲基吡咯烷酮。
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