[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310004799.0 | 申請(qǐng)日: | 2023-01-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116056499A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王云浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H10K59/12 | 分類號(hào): | H10K59/12;H10K71/00;H01L23/544;G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人: | 查薇 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示面板及其制備方法,顯示面板包括:顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的周邊區(qū);所述周邊區(qū)上設(shè)置有凸起的平臺(tái)結(jié)構(gòu),所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記,所述對(duì)位標(biāo)記在所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上表面的正投影位于所述上表面內(nèi),且所述上表面的面積大于所述正投影的面積。通過(guò)本發(fā)明提供了一種對(duì)位準(zhǔn)確度高的顯示面板及其制備方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
顯示面板為多功能層堆疊的膜層結(jié)構(gòu),在其制備過(guò)程中,往往需要進(jìn)行多次曝光顯影來(lái)實(shí)現(xiàn)各功能層的圖形化。然而,曝光顯影需要通過(guò)對(duì)位標(biāo)記來(lái)對(duì)準(zhǔn),以避免各功能層的錯(cuò)位。
以彩色濾光片工藝(Color?Filter?on?Encapsulation,COE)技術(shù)制備的顯示面板為例。雖然COE技術(shù)能增加出光量,節(jié)約了大量的生產(chǎn)成本,但其像素定義層和黑色矩陣層的對(duì)位精度急需提高。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題,提出了本發(fā)明以便提供一種克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的顯示面板及其制備方法。
第一方面,提供一種顯示面板,包括:
顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的周邊區(qū);
所述周邊區(qū)上設(shè)置有凸起的平臺(tái)結(jié)構(gòu),所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記,所述對(duì)位標(biāo)記在所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上表面的正投影位于所述上表面內(nèi),且所述上表面的面積大于所述正投影的面積。
可選的,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的高度為1.0~5.0μm;所述對(duì)位標(biāo)記的厚度為0.1~0.5μm。
可選的,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的材料為有機(jī)可固化材料。
可選的,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的材料為光敏聚酰亞胺或亞克力。
可選的,所述襯底基板上依次設(shè)置有源漏層和平坦層,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)與所述平坦層同層;或者,所述襯底基板上依次設(shè)置有晶體管層和像素定義層,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)與所述像素定義層同層。
可選的,所述襯底基板上設(shè)置有源漏層,所述對(duì)位標(biāo)記與所述源漏層同層;或者,所述襯底基板上設(shè)置有金屬電極層,所述對(duì)位標(biāo)記與所述金屬電極層同層。
可選的,所述正投影的邊緣與所述上表面的邊緣均間隔。第二方面,提供一種顯示面板的制備方法,包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上形成凸起的平臺(tái)結(jié)構(gòu);
在所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上制備對(duì)位標(biāo)記,所述對(duì)位標(biāo)記在所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上表面的正投影位于所述上表面內(nèi),且所述上表面的面積大于所述正投影的面積;
基于所述對(duì)位標(biāo)記,進(jìn)行對(duì)位曝光工藝以制備功能層。
可選的,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的高度為1.0~5.0μm;所述對(duì)位標(biāo)記的厚度為0.1~0.5μm。
可選的,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的材料為有機(jī)可固化材料。
可選的,所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的材料為光敏聚酰亞胺或亞克力。
可選的,所述在所述襯底基板上形成凸起的平臺(tái)結(jié)構(gòu),包括:在所述襯底基板上形成源漏層,并在所述源漏層上形成平坦層;圖形化所述平坦層形成所述平臺(tái)結(jié)構(gòu);或者,在所述襯底基板上形成晶體管層,并在所述晶體管層上形成像素定義層;圖形化所述像素定義成層形成所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)。
可選的,所述在所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)上制備對(duì)位標(biāo)記,包括:在形成有所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的所述襯底基板上形成源漏層;圖形化所述源漏層形成所述對(duì)位標(biāo)記;或者,在形成有所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)的所述襯底基板上形成金屬電極層;圖形化所述金屬電極層形成所述對(duì)位標(biāo)記。
可選的,所述正投影的邊緣與所述上表面的邊緣均間隔。
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