[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310004400.9
• 申請(qǐng)日: 2023-01-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116130418A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李永亮;毛曉烔;羅軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8238
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628
• 代理人: 梁佳美

本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于提升Forksheet器件的良率，利于提升Forksheet器件的電學(xué)性能。所述半導(dǎo)體器件的方法包括：在半導(dǎo)體基底上形成層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層。在層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層上依次形成第一掩膜和第二掩膜。在第一掩膜和第二掩膜的掩膜作用下，對(duì)層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層、以及部分半導(dǎo)體基底進(jìn)行第一圖案化處理，以形成第一凹槽。并在第一凹槽內(nèi)形成淺槽隔離材料。去除第一掩膜。并在第二掩膜的掩膜作用下，對(duì)層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層進(jìn)行第二圖案化處理，以形成第二凹槽。形成填充滿第二凹槽的隔離墻。基于層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層剩余在隔離墻沿寬度方向兩側(cè)的部分分別形成第一晶體管和第二晶體管。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

叉片(Forksheet，可縮寫(xiě)為FSH)器件是通過(guò)在柵極圖案化之前在P型晶體管和N型晶體管之間引入“隔離墻”的方式，以使得P型晶體管和N型晶體管的間距進(jìn)一步減小，利于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化。

但是，采用現(xiàn)有的制造方法所形成的Forksheet器件的良率較低，不利于提升Forksheet器件的電學(xué)性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，用于提升Forksheet器件的良率，利于提升Forksheet器件的電學(xué)性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件的制造方法包括：

在半導(dǎo)體基底上形成層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層。每層溝道層的下方均形成有與自身接觸的相應(yīng)犧牲層。

在層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層上依次形成第一掩膜、以及位于第一掩膜沿寬度方向兩側(cè)的第二掩膜。第一掩膜和第二掩膜的材料不同。

在第一掩膜和第二掩膜的掩膜作用下，對(duì)層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層、以及部分半導(dǎo)體基底進(jìn)行第一圖案化處理，以形成第一凹槽；并在第一凹槽內(nèi)形成淺槽隔離材料，淺槽隔離材料不同于第一掩膜和第二掩膜的材料。淺槽隔離材料的頂部高度大于等于層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層的頂部高度。

去除第一掩膜；并在第二掩膜的掩膜作用下，對(duì)層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層進(jìn)行第二圖案化處理，以形成第二凹槽。

形成填充滿第二凹槽的隔離墻。隔離墻的材料不同于淺槽隔離材料和第二掩膜的材料。

基于層疊設(shè)置的溝道層和犧牲層剩余在隔離墻沿寬度方向兩側(cè)的部分分別形成第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管和第二晶體管的導(dǎo)電類(lèi)型相反。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中，最終在半導(dǎo)體基底上形成了導(dǎo)電類(lèi)型相反的第一晶體管和第二晶體管。并且，第一晶體管和第二晶體管通過(guò)位于二者之間的隔離墻間隔開(kāi)，因此采用本發(fā)明提供的制造方法所制造的半導(dǎo)體器件為Forksheet器件，以使得P型晶體管和N型晶體管的間距進(jìn)一步減小，利于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化。