[發明專利]太陽能電池及其制備方法、光伏組件

在審

• 申請號: 202310002703.7
• 申請日: 2023-01-03
• 公開（公告）號: CN115863452A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 彭致遠;張臨安;金井升
• 申請（專利權）人: 晶科能源（海寧）有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：硅基底、第一電極和第二電極；

所述硅基底的其中一面沿遠離所述硅基底的方向，依次疊層設置有第一氧化層、半導體層、第二氧化層、多晶硅層和第一鈍化層，所述第一氧化層和所述第二氧化層均具有通孔，所述第一氧化層中通孔密度大于所述第二氧化層中通孔密度；

所述第一電極貫穿所述第一鈍化層與所述多晶硅層電連接，或者，所述第一電極依次貫穿所述第一鈍化層、所述多晶硅層和所述第二氧化層與所述半導體層電連接；

所述硅基底包括基區和發射極，所述發射極位于所述基區遠離所述第一氧化層一側；所述發射極遠離基區一側設置有第二鈍化層；

所述第二電極貫穿所述第二鈍化層與所述發射極電連接。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一氧化層具有第一區和第二區，在垂直于所述硅基底的方向上，所述第一區與所述第一電極至少部分交疊，所述第二區與所述第二電極無交疊，所述第一區中所述通孔密度大于所述第二區中所述通孔密度。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一氧化層中通孔密度范圍為10⁸～10¹²cm^-2。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一氧化層中通孔的直徑范圍為1-100nm。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述半導體層為多晶硅、碳化硅或鍺硅合金。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，沿垂直于所述硅基底的方向，所述半導體層的厚度范圍為1～3nm。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，沿垂直于所述硅基底的方向，所述多晶硅層的厚度范圍為30-200nm。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，沿垂直于所述硅基底的方向，所述第一氧化層和所述第二氧化層的厚度范圍為0.5～2nm。

9.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)對硅基底清洗制絨；

2)硼擴散；

3)去除背面BSG；

4)背面堿拋光；

5)背面制備沉積第一氧化層，之后對第一氧化層進行退火；

6)背面制備在第一氧化層遠離硅基底一側依次沉積半導體層、第二氧化層和多晶硅層；

7)去除正面多晶硅層繞鍍；

8)背面摻雜；

9)退火，使所述多晶硅層晶化且使雜質激活；

10)正背面鍍膜；

11)生成電極。

10.一種光伏組件，其特征在于，包括疊層設置的玻璃、第一封裝膠膜、電池串、第二封裝膠膜和背板，所述電池串由多個權利要求1-9任一項所述的一種太陽能電池電連接形成。