[實用新型]一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤及多晶硅還原爐

有效

• 申請號: 202223598501.3
• 申請日: 2022-12-30
• 公開（公告）號: CN219178296U
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 馬英中;李峰;王盼盼;呂雄強;董德智;陳彥璽;張彥輝;路小衛;馬強龍;請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 寧夏潤陽硅材料科技有限公司
• 主分類號: F27D9/00
• 分類號: F27D9/00;C01B33/035
• 代理公司: 寧夏君創未來專利代理事務所(普通合伙) 64107
• 代理人: 周曉梅

1.一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，包括第一水冷盤（100）、第二水冷盤（200）和上蓋板（300），所述第一水冷盤（100）和所述第二水冷盤（200）均沿徑向分為兩個半圓區域，每個半圓區域均沿徑向分為兩個扇形區域，每個扇形區域內設置有多個導流板（410），且形成S形流道，且在每個半圓區域內，兩個扇形區域的兩個S形流道在半圓區域外沿相連通，所述第一水冷盤（100）和所述第二水冷盤（200）的中心處均設置有圓管（420），且所述第二水冷盤（200）位于所述圓管（420）底部開設有通孔（210），兩個S形流道中的一者與所述圓管（420）連通，所述第一水冷盤（100）上的另一者S形流道對應的扇形區域設置有出水管（510），所述第二水冷盤（200）上的另一者S形流道對應的扇形區域設置有進水管（520），所述第二水冷盤（200）設置于所述第一水冷盤（100）上，所述上蓋板（300）蓋設于所述第二水冷盤（200）上，以形成上下兩個水冷腔，所述第一水冷盤（100）的所述圓管（420）與所述第二水冷盤（200）的所述圓管（420）通過所述通孔（210）相連通，且所述進水管（520）貫穿所述第一水冷盤（100）設置。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，在垂直所述上蓋板（300）的方向上投影，所述第一水冷盤（100）內與所述圓管（420）相連通的兩個S形流道與所述第二水冷盤（200）內與所述圓管（420）相連通的兩個S形流道依次交錯排布。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，所述第二水冷盤（200）具有兩個所述進水管（520），所述第一水冷盤（100）開設有與所述進水管（520）對應的穿孔（110），所述進水管（520）穿過所述穿孔（110），且二者密封連接。

4.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，還包括貫穿所述第一水冷盤（100）、所述第二水冷盤（200）和所述上蓋板（300）的電極座（610），任意相鄰的兩個所述導流板（410）之間設置有多個所述電極座（610）。

5.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，還包括貫穿所述第一水冷盤（100）、所述第二水冷盤（200）和所述上蓋板（300）的進氣管（620）和出氣管（630），所述進氣管（620）均勻排布，所述出氣管（630）排布于所述第一水冷盤（100）周沿。

6.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，所述第一水冷盤（100）和所述第二水冷盤（200）通過第一加強筋（430）分為兩個半圓區域，每個半圓區域通過第二加強筋（440）分為兩個扇形區域。

7.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤，其特征在于，所述圓管（420）開設有豁口（421），兩個S形流道中的一者與所述圓管（420）通過豁口（421）連通。

8.一種多晶硅還原爐，其特征在于，包括如權利要求1至7中任意一項所述的一種多晶硅還原爐用雙層水冷底盤。