[實(shí)用新型]一種SIM卡測(cè)試設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202223590352.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN219145624U | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭欣;李晨光;程若男;瞿亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聯(lián)通華盛通信有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04W24/00 | 分類號(hào): | H04W24/00;H02J1/10 |
| 代理公司: | 北京慧誠(chéng)智道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人: | 戴燕 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 sim 測(cè)試 設(shè)備 | ||
1.一種SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述SIM卡測(cè)試設(shè)備包括:通信嗅探信號(hào)自適應(yīng)接入電路和嗅探信號(hào)分析模塊;
所述通信嗅探信號(hào)自適應(yīng)接入電路包括:第一電平轉(zhuǎn)換芯片、第二電平轉(zhuǎn)換芯片和電壓比較控制輸出電路;
所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片和第二電平轉(zhuǎn)換芯片分別包括:第一電平接入端、第二電平接入端和使能端;所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片的第一電平接入端與所述第二電平轉(zhuǎn)換芯片的第二電平接入端相連接,并接至嗅探信號(hào)分析模塊的微控制單元MCU的工作電壓;所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片的第二電平接入端與所述第二電平轉(zhuǎn)換芯片的第一電平接入端相連接,并接至SIM卡的工作電壓;所述SIM卡通過通信信號(hào)線與通信設(shè)備連接;
所述電壓比較控制輸出電路包括比較電路和反相電路;所述比較電路的第一輸入端接SIM卡的工作電壓,第二輸入端接MCU的工作電壓,輸出端接所述反相電路的輸入端并接第一電平轉(zhuǎn)換芯片的使能端;所述反相電路的輸出端接第二電平轉(zhuǎn)換芯片的使能端;
所述SIM卡通過所述通信嗅探信號(hào)自適應(yīng)接入電路接入到所述嗅探信號(hào)分析模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片和第二電平轉(zhuǎn)換芯片具體為四路雙向電平轉(zhuǎn)換器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片和第二電平轉(zhuǎn)換芯片具體為TXS0104四路雙向電平轉(zhuǎn)換器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述MCU的工作電壓為3.3V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述SIM卡包括全球用戶識(shí)別USIM卡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片和第二電平轉(zhuǎn)換芯片分別還包括第一側(cè)信號(hào)接入端組、第二側(cè)信號(hào)接入端組和接地端;
所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片的第一側(cè)信號(hào)接入端組與所述第二電平轉(zhuǎn)換芯片的第二側(cè)信號(hào)接入端組對(duì)應(yīng)連接,并連接所述MCU的復(fù)位信號(hào)、輸入輸出數(shù)據(jù)信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào);所述第一電平轉(zhuǎn)換芯片的第二側(cè)信號(hào)接入端組與所述第二電平轉(zhuǎn)換芯片的第一側(cè)信號(hào)接入端組對(duì)應(yīng)連接,并連接所述SIM卡的復(fù)位信號(hào)、輸入輸出數(shù)據(jù)信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述比較電路包括:電壓比較器;
所述電壓比較器的同相輸入端接SIM卡的工作電壓,反相輸入端接MCU的工作電壓,輸出端接所述反相電路的輸入端并接第一電平轉(zhuǎn)換芯片的使能端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述反相電路包括:NPN型三極管Q1;
所述NPN型三極管Q1的基極接所述比較電路的輸出端;
所述NPN型三極管Q1的集電極接第二電平轉(zhuǎn)換芯片的使能端,并且通過上拉電阻接MCU的工作電壓;
所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極接地。
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