[實用新型]一種用于晶圓鍵合的鍵合盤及裝置有效
| 申請號: | 202223584965.9 | 申請日: | 2022-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN219321329U | 公開(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發明(設計)人: | 李育超 | 申請(專利權)人: | 無錫辰之創電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/60 |
| 代理公司: | 南京北辰聯和知識產權代理有限公司 32350 | 代理人: | 王俊 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新吳區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 晶圓鍵合 鍵合盤 裝置 | ||
本實用新型公開了一種用于晶圓鍵合的鍵合盤及裝置,屬于晶圓鍵合領域,所述用于晶圓鍵合的鍵合盤包括上鍵合盤主體和設在所述上鍵合盤主體下方的下鍵合盤主體,所述上鍵合盤主體和下鍵合盤主體均包括吸附座,所述吸附座上設有吸附盤,所述吸附盤上開設有若干個晶圓吸附孔,所述吸附座上設有真空吸附機構,所述下鍵合盤主體上位于吸附盤外側設有環形鍵合圈,本實用新型通過真空吸附機構配合晶圓吸附孔,使得晶圓吸附孔內形成負壓,方便對晶圓進行吸附固定,方便對上鍵合盤主體和下鍵合盤主體上吸附盤安裝的晶圓的固定作業,便于后續晶圓的鍵合。
技術領域
本實用新型涉及晶圓鍵合技術領域,具體為一種用于晶圓鍵合的鍵合盤及裝置。
背景技術
晶圓鍵合技術是指通過化學和物理作用將兩塊已鏡面拋光的同質或異質的晶片緊密地結合起來,晶片接合后,界面的原子受到外力的作用而產生反應形成共價鍵結合成一體,并使接合界面達到特定的鍵合強度。
經檢索,中國專利公開號為CN212659518U的一種用于晶圓鍵合的鍵合盤以及晶圓鍵合裝置,所述用于晶圓鍵合的鍵合盤從內側到外側依次包括壓盤、石墨層、加熱盤、冷卻盤和隔熱層,該實用新型通過石墨層使得加熱盤的熱量可均勻傳導至壓盤,可以補償上下兩個壓盤的平行度誤差,通過包括反射屏和基板的隔熱層很好的防止加熱盤熱的量傳導至連接件等部件,但是該技術方案存在以下缺陷:該鍵合盤對晶圓的固定效果不好,會導致晶圓翹曲變形,影響晶圓的鍵合,因此,設計一種用于晶圓鍵合的鍵合盤及裝置是很有必要的。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種用于晶圓鍵合的鍵合盤及裝置,以解決上述背景技術中提出的問題。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供如下技術方案:一種用于晶圓鍵合的鍵合盤,包括上鍵合盤主體和設在所述上鍵合盤主體下方的下鍵合盤主體,所述上鍵合盤主體和下鍵合盤主體均包括吸附座,所述吸附座上設有吸附盤,所述吸附盤上開設有若干個晶圓吸附孔,所述吸附座上設有真空吸附機構,所述下鍵合盤主體上位于吸附盤外側設有環形鍵合圈,通過真空吸附機構配合晶圓吸附孔,使得晶圓吸附孔內形成負壓,方便對晶圓進行吸附固定,方便對上鍵合盤主體和下鍵合盤主體上吸附盤安裝的晶圓的固定作業,便于后續晶圓的鍵合。
在進一步的實施例中,所述真空吸附機構包括設在吸附座中間的氣孔,所述吸附座上開設有與氣孔連通的接管口,所述接管口與外界氣動閥門和真空設備連接,通過外界氣動閥門和真空設備相配合,通過接管口配合氣孔,使得吸附座表面形成負壓。
在進一步的實施例中,所述吸附座表面位于氣孔外側設有凸環,所述凸環與氣孔之間設有同圓心且弧徑依次減小的凸弧,相鄰所述凸弧之間形成吸附通道,通過凸環與凸弧相結合,配合吸附通道,方便晶圓的吸附固定作業。
在進一步的實施例中,所述環形鍵合圈內側設有若干個加熱板,所述加熱板內設有加熱絲,所述環形鍵合圈內側位于加熱板上下方均設有相互連通的冷卻管,位于上方的所述冷卻管上設有進液口,位于下方的所述冷卻管上設有出液口,通過加熱板內的加熱絲工作,對鍵合過程中的晶圓進行加熱作業,在加熱結束后,通過進液口往冷卻管內注入冷卻液,與鍵合過程中熱量實現熱交換,將熱量帶走,通過出液口的設置方便冷卻液的排出更換。
在進一步的實施例中,所述吸附座上設有若干個定位夾,所述定位夾與吸附盤相配合,通過定位夾方便對吸附盤進行夾持固定。
一種用于晶圓鍵合裝置,包括上述用于晶圓鍵合的鍵合盤,通過該鍵合盤實現晶圓的鍵合作業。
與現有技術相比,本實用新型所達到的有益效果是:通過真空吸附機構配合晶圓吸附孔,使得晶圓吸附孔內形成負壓,方便對晶圓進行吸附固定,方便對上鍵合盤主體和下鍵合盤主體上吸附盤安裝的晶圓的固定作業,便于后續晶圓的鍵合。
附圖說明
圖1是本實用新型的吸附盤結構示意圖;
圖2是本實用新型的吸附座結構示意圖;
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





