[實用新型]一種新型歸一化電荷放大器有效
| 申請號: | 202223551600.6 | 申請日: | 2022-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN219554933U | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 章志光;鄭大偉 | 申請(專利權)人: | 揚州科動電子有限責任公司 |
| 主分類號: | H03F3/70 | 分類號: | H03F3/70 |
| 代理公司: | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人: | 楊秀達 |
| 地址: | 225000 江蘇省揚*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 歸一化 電荷 放大器 | ||
本實用新型公開了一種新型歸一化電荷放大器,包括運算放大器A、反饋電阻Rf、第一內部開關S1、第二內部開關S2、第三內部開關S3、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第n內部開關Sn和第n電阻Rn構成,第一內部開關S1、第二內部開關S2、第三內部開關S3、第n內部開關Sn開關的閉合所呈現的阻值與反饋電阻Rf構成對應線性比例。本實用新型屬于電荷放大器技術領域,具體是提供了一種對程控歸一化放大電路控制起來更為精細,D/A位數越高,歸一化放大電路精度越精準,線性度越好,操作更簡便,方便控制的新型歸一化電荷放大器。
技術領域
本實用新型屬于電荷放大器技術領域,具體是指一種新型歸一化電荷放大器。
背景技術
電荷放大器主要由一個高增益反向電壓放大器和電容負反饋組成,輸入端的MOSFET(半導體場效應晶體管)或JFET(面結型場效應晶體管)提供高絕緣性能,確保極低的電流泄露。電荷放大器將壓電傳感器產生的電荷轉換為成比例的電壓,用來作為監測和控制進程的輸入量。
如圖1所示,目前現有方案就是將原來的手動開關切換電阻R變為程控D/A轉換器切換,來實現程控歸一化放大電路,但是在實際操作過程中,此方案線性度不好,操作性不強,手動進行開關切換出現的問題較多。
實用新型內容
針對上述情況,為克服現有技術的缺陷,本實用新型提供了一種通過電腦控制實現S1、S2、S3到Sn內部開關的切換,實現程控歸一化放大效果,對程控歸一化放大電路控制起來更為精細,D/A位數越高,歸一化放大電路精度越精準,線性度越好,操作更簡便,方便控制的新型歸一化電荷放大器。
本實用新型采取的技術方案如下:本實用新型一種新型歸一化電荷放大器,包括運算放大器A、反饋電阻Rf、第一內部開關S1、第二內部開關S2、第三內部開關S3、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3構成,所述第一內部開關S1與第一電阻R1相串聯,所述第二內部開關S2與第二電阻R2相串聯,所述第三內部開關S3與第三電阻R3相串聯,相串聯的所述第一內部開關S1與第一電阻、與相串聯的第二內部開關S2與第二電阻R2、相串聯的第三內部開關S3與第三電阻R3相并聯且并入運算放大器A的反相輸入端,所述反饋電阻Rf連接設于運算放大器A的反相輸入端與輸出端之間。
進一步地,所述新型歸一化電荷放大器還包含有第n內部開關Sn和第n電阻Rn,其中,n均為大于3的自然數,所述第n內部開關Sn與第n電阻Rn相串聯,且所述第n內部開關Sn和第n電阻Rn串聯后、與串聯的第一內部開關S1與第一電阻R1相并聯并入運算放大器A的反向輸入端。
進一步地,通過電腦程序實現所述第一內部開關S1、第二內部開關S2、第三內部開關S3、第n內部開關Sn內部開關的切換。
進一步地,所述第一內部開關S1、第二內部開關S2、第三內部開關S3、第n內部開關Sn開關的閉合所呈現的阻值與反饋電阻Rf構成對應線性比例,電路的計算公式為。
本方案一種新型歸一化電荷放大器,采用上述結構本實用新型取得的有益效果如下:
1、本申請對程控歸一化放大電路控制起來更為精細,D/A位數越高,歸一化放大電路精度越精準,線性度越好。
2、通過電腦控制實現S1、S2、S3到Sn內部開關的切換,來實現程控歸一化放大電路,操作更簡便,方便控制。
附圖說明
圖1為本現有技術中電荷放大器的電路組成示意圖;
圖2為本方案所提供的一種新型歸一化電荷放大器的電路組成示意圖。
附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的限制。
具體實施方式
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