[實用新型]同步整流控制電路、DRV調整電路及開關電源

有效

• 申請號: 202223468111.4
• 申請日: 2022-12-26
• 公開（公告）號: CN219372268U
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 李德第;馬田華;王建國;羅杰;郎偉;李典侑
• 申請（專利權）人: 上海燦瑞科技股份有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M3/335
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 常祖正

本實用新型公開了同步整流控制電路、DRV調整電路及開關電源，涉及電子電路技術領域。包括導通控制電路、關斷控制電路、驅動電路和DRV調整電路。導通控制電路用于發出導通信號；關斷控制電路用于發出關斷信號；驅動電路用于根據導通信號導通MOSFET或者根據關斷信號關斷MOSFET；DRV調整電路用于降低MOSFET關斷前的柵極驅動電壓；DRV調整電路包括第一控制電路、第二控制電路、下拉電流源電路和N個放電電路，N不小于2；任一放電電路導通都能夠進行放電，以降低DRV電壓值。本實用新型減少了DRV從高電平降低到Vsubgt;REG/subgt;的時間，防止DRV過度降低，加快了MOSFET的關斷速度，提高了穩定性。

技術領域

本實用新型涉及電子電路技術領域，特別是涉及同步整流控制電路、DRV調整電路及開關電源。

背景技術

開關電源通常使用同步整流控制電路驅動金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET，金氧半場效晶體管)來完成整流功能。MOSFET導通期間內，同步整流控制電路采樣MOSFET的源-漏兩端電壓(VDS)，當VDS高于MOSFET關斷閾值后，MOSFET將在關斷延時(td2)后關閉。

在MOSFET開始導通至VDS達到MOSFET關斷閾值(VTH_OFF)之前，同步整流控制電路需要在較短時間內將柵極驅動電壓(DRV)調整至所需目標值(V_REG)。通過降低DRV的方式可把MOSFET的柵極電壓從高電平電壓逐漸降低，以便MOSFET隨時從較低的電壓進入關斷狀態。在通過MOSFET的電壓相當低的時候，上述VDS被調整在一定范圍內，這樣就加快了MOSFET的關斷速度。

一些場景下，同步整流控制電路會外接電源VCC。MOSFET開始導通DRV的大小一般決定于VCC的大小。一種典型應用場合下，供電電源VCC為5V，DRV電壓(柵極驅動電壓)調整電路工作時，需要把DRV電壓(柵極驅動電壓)在較短時間內從電源電壓VCC(在上述典型應用場景下為5V)調整至所需目標值V_REG，以便后續MOSFET隨時從較低的電壓進入關斷狀態。

在一些其他應用場合下電源電壓VCC被抬高到更高的電壓水平，即電源電壓VCC高于5伏。這樣，在DRV電壓(柵極驅動電壓)調整電路對DRV電壓(柵極驅動電壓)進行調整時，需要從更高的電壓拉低到所需目標值V_REG,從而調整時間變長；同時，傳統同步整流控制電路中僅設計一個常通放電電路放電，為提高下拉速度，需考慮使用大的下拉電流，然而，若使用大的下拉電流又容易把DRV過度下拉。

實用新型內容

本實用新型實施例的目的是提供同步整流控制電路、DRV調整電路及開關電源，以減少DRV從高電平降低到V_REG的時間，并且防止DRV過度降低，從而既加快了MOSFET的關斷速度，又提高了穩定性。

為實現上述目的，本實用新型實施例提供了如下方案：

一種同步整流控制電路，包括：

導通控制電路，用于發出導通信號；

關斷控制電路，用于發出關斷信號；

驅動電路，分別與所述導通控制電路、所述關斷控制電路和MOSFET連接，用于根據所述導通信號導通所述MOSFET或者根據所述關斷信號關斷所述MOSFET；

柵極驅動電壓DRV調整電路，與所述MOSFET連接，用于降低所述MOSFET關斷前的柵極驅動電壓；所述DRV調整電路包括第一控制電路、第二控制電路，以及，N個放電電路，N不小于2；

在DRV高于參考電壓時，所述第一控制電路處于導通狀態，以降低DRV的電壓值；在DRV小于等于所述參考電壓時或所述MOSFET的漏極電壓大于等于第二閾值電壓，所述第一控制電路處于斷開狀態；