[實用新型]晶體生長設備

有效

• 申請號: 202223449148.2
• 申請日: 2022-12-22
• 公開（公告）號: CN219032465U
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 周潔;王新;趙玉兵;張華利;范偉
• 申請（專利權）人: 江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B35/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 黃德海

1.一種晶體生長設備，其特征在于，包括：

爐體；

坩堝，所述坩堝設于所述爐體內，所述坩堝內適于放置用于生產晶體的原料；

加熱器，所述加熱器設在所述爐體內且位于所述爐體與所述坩堝之間，所述加熱器用于對所述坩堝加熱，所述加熱器包括主加熱器、兩個加熱器支腿以及兩個加熱器腳，所述主加熱器環繞在所述坩堝的外周側且位于所述坩堝的上部，兩個所述加熱器支腿沿所述坩堝的徑向相對設置，每個所述加熱器支腿的上端與所述主加熱器相連，每個所述加熱器支腿的下端設有所述加熱器腳，所述加熱器腳位于所述坩堝的下方；

隔擋件，所述隔擋件位于所述坩堝的外周側且位于所述主加熱器的下方，所述隔擋件的至少部分位于所述坩堝的外周壁與所述加熱器支腿之間，所述隔擋件與所述坩堝和所述加熱器支腿中的至少一個間隔開，所述隔擋件為耐高溫件。

2.根據權利要求1所述的晶體生長設備，其特征在于，所述隔擋件環繞在所述坩堝的外周側且呈環形。

3.根據權利要求1所述的晶體生長設備，其特征在于，所述隔擋件在上下方向上的高度為h1，所述加熱器支腿在上下方向上的高度為h2，所述h1與所述h2的比值大于0.7。

4.根據權利要求1所述的晶體生長設備，其特征在于，所述爐體內設有防護底板，所述防護底板位于所述坩堝的下方，所述隔擋件的底部與所述防護底板相連。

5.根據權利要求4所述的晶體生長設備，其特征在于，所述加熱器腳位于所述防護底板的下方。

6.根據權利要求5所述的晶體生長設備，其特征在于，包括第一保溫層和第二保溫層，所述第一保溫層設于所述爐體的內周壁與所述加熱器的外周側之間，所述第二保溫層設于所述第一保溫層的底部且至少部分位于所述爐體的底壁與所述防護底板之間，所述第二保溫層形成有容納凹槽，所述加熱器腳容納于所述容納凹槽。

7.根據權利要求1所述的晶體生長設備，其特征在于，所述隔擋件為碳化硅件、石墨件、石墨烯件或碳纖維復合材料件。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的晶體生長設備，其特征在于，所述加熱器支腿在上下方向上呈非直線延伸，以在所述加熱器支腿與所述坩堝的外周壁之間形成用于容納所述隔擋件的至少部分的容納空間。

9.根據權利要求8所述的晶體生長設備，其特征在于，所述加熱器支腿包括：第一支腿段以及第二支腿段，所述第一支腿段沿所述坩堝的徑向延伸，所述第二支腿段沿上下方向延伸，所述第二支腿段的上端與所述第一支腿段的遠離所述坩堝的一端相連，所述第一支腿段的鄰近所述坩堝的一端與所述主加熱器的下端相連，所述第二支腿段與所述坩堝的外周壁之間形成用于容納所述隔擋件的至少部分的容納空間。

10.根據權利要求9所述的晶體生長設備，其特征在于，所述第二支腿段與所述坩堝的外周壁之間的距離為d1，所述主加熱器與所述坩堝的外周壁之間的距離為d2，所述d1大于所述d2。