[實(shí)用新型]一種碳化硅外延襯底

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202223421184.8
• 申請(qǐng)日: 2022-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN218730955U
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 母鳳文;郭超;田野
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青禾晶元（天津）半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/16;H01L29/739
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 趙穎

1.一種碳化硅外延襯底，其特征在于，所述碳化硅外延襯底包括疊加設(shè)置的高摻雜基底層以及低摻雜漂移層；

所述碳化硅外延襯底還包括鍵合界面層；

所述鍵合界面層設(shè)置于高摻雜基底層內(nèi)部、低摻雜漂移層內(nèi)部或高摻雜基底層以及低摻雜漂移層之間的任意一個(gè)位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述高摻雜基底層的厚度為10~300μm；

所述低摻雜漂移層的厚度為10~200μm；

所述鍵合界面層的厚度為1~5000nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述碳化硅外延襯底還包括電流阻擋層；

所述電流阻擋層設(shè)置于低摻雜漂移層遠(yuǎn)離高摻雜基底層的一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述電流阻擋層用于增強(qiáng)所述低摻雜漂移層內(nèi)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)以及減小結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述電流阻擋層的厚度為0.5~5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述碳化硅外延襯底還包括高摻雜緩沖層；

所述高摻雜緩沖層設(shè)置于高摻雜基底層以及低摻雜漂移層之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述高摻雜緩沖層用于提高器件的耐壓性能；

所述高摻雜緩沖層的厚度為0.1~20μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述鍵合界面層還設(shè)置于高摻雜緩沖層內(nèi)部、高摻雜基底層和高摻雜緩沖層之間、高摻雜緩沖層和低摻雜漂移層之間的任意一個(gè)位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，當(dāng)所述高摻雜基底層為N型摻雜時(shí)，所述高摻雜緩沖層、低摻雜漂移層以及電流阻擋層均為P型摻雜；

當(dāng)所述高摻雜基底層為P型摻雜時(shí)，所述高摻雜緩沖層、低摻雜漂移層以及電流阻擋層均為N型摻雜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅外延襯底，其特征在于，所述鍵合界面層包括SiC層、GaN層、Al₂O₃層、HfO₂層、金剛石層、Si層、AlN層、Ga₂O₃層中的任意一種。