[實用新型]一種半導體光電探測器

有效

• 申請號: 202223400526.8
• 申請日: 2022-12-19
• 公開（公告）號: CN219286423U
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 鄭志明;林智聰
• 申請（專利權）人: 江蘇聯格科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/09;H01L31/0216
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 陸敏杰

1.一種半導體光電探測器，其特征在于：包括襯底，襯底上設有波導下包層，波導下包層上設有光波導層，光波導層上沿信號光進入方向依次設有入射光耦合器、光吸收層、出射光耦合器和DBR反射鏡，光吸收層吸收信號光，產生光生載流子，并在電場作用下輸運到電極，輸出電信號。

2.根據權利要求1所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述襯底為硅層，波導下包層為二氧化硅層。

3.根據權利要求1或2所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：光電探測器外表面有鈍化層覆蓋。

4.根據權利要求1或2所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述光波導層為硅層。

5.根據權利要求4所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述DBR反射鏡包括光波導層上刻蝕出的光柵。

6.根據權利要求4所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述波導下包層厚度為2微米，光波導層厚度220nm。

7.根據權利要求1所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述光吸收層是鍺、鍺硅、鍺量子點、鍺錫、鍺鉛、鍺錫鉛中的一種異質結構材料層。

8.根據權利要求4所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述入射光耦合器和出射光耦合器皆包括鍺層和鍺層下方的硅層。

9.根據權利要求8所述的一種半導體光電探測器，其特征在于：所述鍺層為三維錐狀，且外端小內端大。