[實(shí)用新型]空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組和電子產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202223371008.8
• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN219477945U
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張磊;張鑫垚;蔣品方;徐銜;張華
• 申請（專利權(quán)）人: 唯捷創(chuàng)芯（天津）電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64;H03H9/54;H03H9/02
• 代理公司: 北京汲智翼成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11381
• 代理人: 董燁飛;陳曦

本實(shí)用新型公開了一種空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組和電子產(chǎn)品。該空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組包括第一倒裝芯片，第二倒裝器件，基板以及塑封料，基板上形成有多個(gè)第一焊盤、多個(gè)第二焊盤、阻擋結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)電線路；第一倒裝芯片的下方有多個(gè)凸點(diǎn)分布在襯底的周邊，并且凸點(diǎn)環(huán)繞金屬電極并貼裝到第一焊盤；第二倒裝器件貼裝到第二焊盤；阻擋結(jié)構(gòu)和第一焊盤圍合起來形成使塑封材料無法進(jìn)入的區(qū)域。本實(shí)用新型利用阻擋結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)將濾波器芯片焊接在具有特別定義阻焊層開窗的特定基板表面上，并將非濾波器芯片及被動元件正常焊接在基板表面上，從而提高封裝質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組，同時(shí)也涉及包含該空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組的電子產(chǎn)品，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

目前，表面聲波濾波器(簡稱SAW)和體聲波濾波器(BAW)通常采用CSP(芯片級封裝)、DSSP(裸片級SAW封裝)、WLP(晶圓級封裝)等封裝方式。在集成到封裝模組的時(shí)候，基板上需要對電路進(jìn)行匹配，以形成完整的電路結(jié)構(gòu)。例如，基于表面聲波濾波器的射頻模組產(chǎn)品，包含天線開關(guān)、低噪放大器、電容、電感等常規(guī)的無需空腔即可工作的元件(非濾波器元器件)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中常采用覆膜的方式隔絕外面的塑封料以保障濾波器的底部形成空腔，而模組內(nèi)的其它芯片或器件底部由于覆膜的影響也無法得到很好的底部填充，容易導(dǎo)致器件連錫短路。同時(shí)，非濾波器芯片及器件則因?yàn)樗芊饬咸畛洳怀浞郑淇煽啃砸矡o法保障。

在申請?zhí)枮?02110468684.8的中國專利申請中，公開了一種濾波器系統(tǒng)級混合封裝模組，包括：第一濾波器，第一濾波器在第一頻段對接收到的信號濾波；第二濾波器，第二濾波器在不同于第一頻段的第二頻段對接收到的信號進(jìn)行濾波；基板，基板一側(cè)設(shè)置有焊盤，基板另一側(cè)設(shè)置有模塑料，膜塑料為第一濾波器提供第一空間，模塑料為第二濾波器提供不同于第一空間的第二空間；模塑料表面包覆有金屬涂料，第一空間和第二空間通過金屬涂料分隔；基板設(shè)置有走線，走線連接第一濾波器和第二濾波器。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的首要技術(shù)問題在于提供一種空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組。

本實(shí)用新型所要解決的另一技術(shù)問題在于提供一種包含空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組的電子產(chǎn)品。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型采用以下的技術(shù)方案：

根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供一種空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組，包括第一倒裝芯片、第二倒裝器件、基板以及塑封料；其中，

所述基板上形成有多個(gè)第一焊盤、多個(gè)第二焊盤、擋墻以及導(dǎo)電線路；

所述第一倒裝芯片的下方有多個(gè)凸點(diǎn)分布在襯底的周邊，并且所述凸點(diǎn)環(huán)繞金屬電極并貼裝到所述第一焊盤；

所述第二倒裝器件貼裝到所述第二焊盤；

所述擋墻圍合起來形成使塑封材料無法進(jìn)入的區(qū)域。

其中較優(yōu)地，所述擋墻的外邊緣，與所述襯底在所述基板的上表面的投影的輪廓線齊平，或內(nèi)縮在所述輪廓線的內(nèi)側(cè)。

其中較優(yōu)地，所述空腔濾波器系統(tǒng)級封裝模組還包括與所述擋墻對應(yīng)的多個(gè)溢流槽。

其中較優(yōu)地，所述擋墻覆蓋在所述襯底的朝向所述基板的表面上，

所述溢流槽位于所述擋墻的正下方，并且尺寸小于等于所述擋墻。

其中較優(yōu)地，所述擋墻的下表面與所述基板上的阻焊層的上表面之間的間距L大小，由所述凸點(diǎn)的高度、所述第一焊盤的厚度、所述擋墻的厚度、所述阻焊層的厚度共同決定。

其中較優(yōu)地，所述基板上還形成有阻焊層，并且滿足：

間距＝(凸點(diǎn)的高度+第一焊盤的高度)－擋墻的高度，并且所述間距不超過20um。