[實用新型]存儲器裝置有效
| 申請號： | 202223354823.3 | 申請日： | 2022-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN218957399U | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 江宏禮;王哲夫;陳自強;張孟凡 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/408 | 分類號： | G11C11/408;G11C11/4094;G11C11/402 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艷青;姚開麗 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工業園區新*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 裝置 | ||
1.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：
多個記憶胞，所述多個記憶胞中的至少一者包括：
第一晶體管，包括第一漏極/源極路徑及電性耦合至寫入字線的第一柵極結構；
第二晶體管，包括第二漏極/源極路徑及電性耦合至所述第一晶體管的所述第一漏極/源極路徑的第二柵極結構；以及
第三晶體管，包括電性耦合至所述第二晶體管的所述第二漏極/源極路徑的第三漏極/源極路徑及電性耦合至讀取字線的第三柵極結構，
其中所述第一晶體管、及/或所述第二晶體管、及/或所述第三晶體管是鐵電場效晶體管或負電容場效晶體管。
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一晶體管是鐵電場效晶體管。
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第二晶體管是負電容場效晶體管。
4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第三晶體管是鐵電場效晶體管。
5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一晶體管是負電容場效晶體管。
6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第二晶體管是鐵電場效晶體管。
7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第三晶體管是負電容場效晶體管。
8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一晶體管是鐵電場效晶體管，且所述第二晶體管是負電容場效晶體管。
9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一晶體管是負電容場效晶體管，且所述第二晶體管是鐵電場效晶體管。
10.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：
多個記憶胞，所述多個記憶胞中的至少一者包括：
第一負電容場效晶體管，包括第一漏極/源極路徑及電性耦合至寫入字線的第一柵極結構；
鐵電場效晶體管，包括第二漏極/源極路徑及電性耦合至所述第一負電容場效晶體管的所述第一漏極/源極路徑的第二柵極結構；以及
第二負電容場效晶體管，包括電性耦合至所述鐵電場效晶體管的所述第二漏極/源極路徑的第三漏極/源極路徑及電性耦合至讀取字線的第三柵極結構。
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