[實用新型]一種異質結雙極晶體管結構

有效

• 申請號: 202223320712.0
• 申請日: 2022-12-09
• 公開（公告）號: CN219226298U
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 丁幗君;趙亞楠;姜清華;黃璽
• 申請（專利權）人: 常州承芯半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/417;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張英英

一種異質結雙極晶體管結構，包括：襯底；金屬層，位于所述襯底上；集電層，位于所述金屬層上；若干集電極，位于所述金屬層上，所述金屬層與若干所述集電極電連接；基極層，位于所述集電層上；基極電極，嵌入所述基極層；發射層，位于所述基極層上；以及發射電極，位于所述發射層上。上述方案可以在減小HBT尺寸的情況下，實現多個集電極之間的電流流通。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種異質結雙極晶體管結構。

背景技術

異質結雙極晶體管(Heterojunction?Bipolar?Transistor，HBT)是雙極晶體管的一種，它的發射區和基區使用了不同的半導體材料。半導體異質結構的二極管特性非常接近理想二極管，通過調節半導體各材料層的厚度和能帶隙，可以改變二極管電流與電壓的響應參數。半導體異質結構對半導體技術具有重大影響，是高頻晶體管和光電子器件的關鍵成分。HBT比一般的雙極晶體管具有更好的高頻信號特性和基區發射效率，可以在高達數百GHz的信號下工作。當前，HBT在現代的高速電路、射頻系統和移動電話中應用廣泛。

在現有的HBT制造工藝中，為了提高導電效率，往往會在集電層鍍上多個集電極，并在各個集電極上分別施加電壓。為了使各個集電極間的電流流通，需要在集電極端增加額外的金屬導線/引線以使各個集電極電連接。

然而，現有的HBT制造工藝所采用的方法會增加器件的尺寸，并且散熱效果也不太理想。

實用新型內容

本實用新型實施例解決的技術問題是實現集電層的多個集電極的電流流通的同時，盡可能減小HBT尺寸。

為解決上述技術問題，本實用新型實施例提供一種異質結雙極晶體管結構，具體包括：襯底；金屬層，位于所述襯底上；集電層，位于所述金屬層上；若干集電極，位于所述金屬層上，所述金屬層與若干所述集電極電連接；基極層，位于所述集電層上；基極電極，嵌入所述基極層；發射層，位于所述基極層上；以及發射電極，位于所述發射層上。

可選的，若干所述集電極包括兩個所述集電極，分別位于所述集電層的兩側；其中，所述金屬層的寬度減去所述集電層和各個集電極的寬度之和得到的差值在第一預設區間內。

可選的，所述第一預設區間為：-2μm至0.2μm。

可選的，所述金屬層的形狀與所述集電層的形狀一致。

可選的，所述金屬層的厚度在第二預設區間內。

可選的，所述第二預設區間為：至

可選的，所述金屬層的材料選自：銅、金、銀、鋁。

可選的，所述異質結雙極晶體管結構還包括：砷化鎵層，位于所述襯底上，并位于所述金屬層外側。

可選的，所述異質結雙極晶體管結構還包括：第一發射電極過渡層，位于所述發射層上，所述發射電極位于所述第一發射電極過渡層上方。

可選的，所述異質結雙極晶體管結構還包括：第二發射電極過渡層，位于所述第一發射電極過渡層上，所述發射電極位于所述第二發射電極過渡層上方。

與現有技術相比，本實用新型實施例的技術方案具有以下有益效果：

在本實用新型實施例中，通過在襯底和集電層中間增設金屬層，若干集電極位于所述金屬層上，且所述金屬層與若干所述集電極電連接，也即，通過利用縱向的空間區域形成金屬層，通過該金屬層實現各個集電極的電流流通，從而可以有效減少HBT的尺寸。