[實用新型]功率放大器

有效

• 申請號: 202223304548.4
• 申請日: 2022-12-06
• 公開（公告）號: CN218772014U
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 何世海;許林健;黃鑫;孟浩;錢永學
• 申請（專利權）人: 北京昂瑞微電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03F1/52
• 分類號: H03F1/52;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/45
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 梁棟國

1.一種功率放大器，其特征在于，包括：

輸入匹配電路，所述輸入匹配電路的輸入端用于接收輸入信號，并且其輸出端通過隔直電容器連接到功率放大管的輸入端；

偏置電路，所述偏置電路連接在功率放大管的輸入端和供電電源之間，用于給功率放大管提供偏置電壓；

功率放大電路，所述功率放大電路被配置為從輸入端接收輸入信號，其輸出端通過電感器連接到供電電源以及輸出匹配電路以輸出放大的信號，并且所述功率放大電路還包括接地端，以連接到接地節點；

輸入匹配電路，所述輸入匹配電路被配置為其輸入端連接到所述功率放大管的輸出端以及電壓保護電路，并且其輸出端用于輸出輸出信號；以及

電壓保護電路，所述電壓保護電路被配置為連接在所述輸入匹配電路的輸入端和接地節點之間，并且包括第一電容器、第一晶體管以及第一電阻器和第二電阻器，所述第一電容器連接到所述第一晶體管的柵極或者基極以控制所述第一晶體管的導通和關斷。

2.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電容器與第一電阻器串聯連接在供電電源和接地節點之間；第一晶體管的發射級或者源極與供電電源連接；第一晶體管的基極或柵極連接在第一電容器和第一電阻器的中間節點處，并且第一晶體管的集電極或者漏極連接到第二電阻器；以及第二電阻器連接在第一晶體管的集電極或者漏極和接地節點之間。

3.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一晶體管包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶體管。

4.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述電壓保護電路還包括第二晶體管和二極管，

所述第一電容器與第一電阻器串聯連接在供電電源和接地節點之間；第一晶體管和第二晶體管的發射級或者源極與供電電源連接；第一晶體管的基極或者柵極連接在第一電容器和第一電阻器的中間節點處，并且第一晶體管的集電極或者漏極連接到第二晶體管的基極或者柵極；第二晶體管的集電極或者漏極連接到第二電阻器；二極管連接在第一晶體管的集電極或者漏極和接地節點之間；以及第二電阻器連接在第二晶體管的集電極或者漏極和接地節點之間。

5.根據權利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述第二晶體管包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶體管。

6.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大電路包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶體管形成的功率放大電路。

7.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大電路包括單端功率放大電路或者差分功率放大電路。

8.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大電路包括線性功率放大電路或者非線性功率放大電路。

9.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器被配置用于N77頻段或者N79頻段。